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變壓器: 用于千兆以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電（PoE）的SMD 脈沖變壓器
- TDK株式會社為千兆以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電(PoE)等應(yīng)用產(chǎn)品擴展了其ALT4532系列脈沖變壓器的產(chǎn)品陣容。該新型ALT4532P產(chǎn)品是為了新興的2.5GBASE-T(2.5 Gb/s)和5GBASE-T(5 Gb/s)LAN應(yīng)用以及使用600-mA PoE的1000BASE-T(1 Gb/s)應(yīng)用而設(shè)計的。ALT4532P新型號與10GBASE-T標(biāo)準(zhǔn)(10 Gb/s)兼容。該產(chǎn)品具有緊湊型SMD封裝特點，尺寸為4.5 mm x&n
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CEATAC 2017：TDK以傳感技術(shù)引領(lǐng)未來
- 作為日本電子產(chǎn)業(yè)的年度代表性展會，一年一度的CEATAC成為日本電子信息企業(yè)重點國內(nèi)展示未來科技發(fā)展的最重要舞臺，筆者應(yīng)邀觀摩了此次展會，并在現(xiàn)場感受到日本電子信息企業(yè)應(yīng)對全新的信息技術(shù)革命的發(fā)展策略。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40V氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅(qū)動器。?EPC2049晶體管的額定電壓為40?V、最大導(dǎo)通電阻為5?m?及脈沖輸出電流為175?A。 與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應(yīng)晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)
- 關(guān)鍵字： EPC EPC2049
電流傳感器：鉗式交流電流傳感器擴大 600A 產(chǎn)品陣容
- TDK株式會社(社長：上釜 健宏)在鉗式交流電流傳感器CCT系列產(chǎn)品中追加了600A的新產(chǎn)品(鉗內(nèi)徑：φ36mm)從而擴大了產(chǎn)品陣容，并將從今年7月起開始量產(chǎn)。 近年來，出于保護地球環(huán)境以及節(jié)能意識的觀點，不僅是管理樓宇整體能源使用量的BEMS和管理工廠整體能源使用量的FEMS，就連管理地區(qū)、社區(qū)能源的CEMS也在逐漸被引進。 此次，通過在產(chǎn)品陣容中新增600A產(chǎn)品(φ36mm)，從而實現(xiàn)了應(yīng)對BEMS、FEMS、CEMS的大電流的傳感需求。本產(chǎn)品通過將本公司獨自開發(fā)的高性能鐵氧體材料加工為獨有的
- 關(guān)鍵字： TDK 電流傳感器
CT、MRI 等產(chǎn)品需要大功率高壓組件
- 在CT、MRI 等高端產(chǎn)品方面，主要的門障之一是大功率高壓組件的研發(fā)，隨著開發(fā)技術(shù)逐漸改善和吸收國外技術(shù)經(jīng)驗。一些大型國內(nèi)生產(chǎn)商已經(jīng)擁有自己的技術(shù)來開發(fā)這類的高端產(chǎn)品。現(xiàn)在大多數(shù)中國制造商仍然依賴進口這種關(guān)鍵的大功率高壓組件。在不久的將來，預(yù)計大多數(shù)這些組件將被本地制造或純本地研發(fā)的產(chǎn)品所取代。
- 關(guān)鍵字： 醫(yī)療，TDK
愛普科斯 (EPCOS) 榮獲博世力士樂的中國杰出供應(yīng)商獎
- TDK集團成員愛普科斯 (EPCOS)中國被博世力士樂評為“2017年中國杰出供應(yīng)商”，是獲獎供應(yīng)商中唯一一家電子元器件制造商。該獎項綜合評價了供應(yīng)商的產(chǎn)品質(zhì)量、交貨能力及在開發(fā)新產(chǎn)品和技術(shù)上合作態(tài)度，是對獲獎?wù)咴谶@些方面的杰出表現(xiàn)的肯定。 http://www.epcos-china.com/171207 更多新聞信息請點擊： http://www.epcos-china.com/pressreleases ---------------------------------
- 關(guān)鍵字： TDK EPCOS
面向激光雷達應(yīng)用并采用EPC氮化鎵（eGaN）技術(shù)的150安培開發(fā)板可以驅(qū)動5 納秒脈寬的脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅(qū)動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應(yīng)用的激光雷達系統(tǒng)需要制作三維地圖，因此，偵測四周的目標(biāo)物件的速度及準(zhǔn)確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到，與等效MOSFET相比，具備快速轉(zhuǎn)換特性的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅(qū)動激光二極管，從而提升激光雷達系統(tǒng)的整體性能。 EPC9126HC開發(fā)板主要驅(qū)動激光二極管，備有
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