super junction mosfet 文章
最新資訊
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規格產品的獨家供應商。
關鍵字：
Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
新的產品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術。這些技術的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數碼相機及便攜式音樂播放器。
AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
關鍵字：
AOS MOSFET
在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術可以減少開關損耗，甚至可通過SiC技術改善升壓二極管來減少MOSFET的開關損...
關鍵字：
開關 PFC MOSFET
開關電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流...
關鍵字：
開關電源 IGBT MOSFET
當前，設計人員正面臨為各種應用產品的電源設計反激電路的挑戰，現在找到能夠簡化工作的方法。全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設計人員無需應用指南，也可以像電源專家一樣進行“自動化設計”、優化或“先進設計”。
關鍵字：
飛兆 MOSFET PSW
超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
關鍵字：
LED GaN MOSFET
全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出SolarSpec 智能接線盒(Smart Junction Box)，該連接系統可讓太陽能光伏(PV)電池板制造商方便地提供帶有嵌入式安全和監控功能模塊產品，以及便利、安全及可靠的連接工具。特別的是，該系統帶有一系列嵌入SolarEdge優化芯片組的可互換盒蓋，以便提供不同水平的電子集成。
關鍵字：
Molex Smart Junction Box SolarSpec
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
關鍵字：
Vishay MOSFET
通常，在功率MOSFET的數據表中的第一頁，列出了連續漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們如何影響系統以及如何選
關鍵字：
電流 MOSFET 功率 理解
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器具備三個獨立的高低側參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術使單片式結構堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
關鍵字：
國際整流器公司 MOSFET 柵極驅動IC
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款 ...
關鍵字：
集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片
現在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領域都注重環保理念，需要進行低損耗、高效率的產品開發。 ...
關鍵字：
MOSFET 高速開關
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
關鍵字：
Vishay MOSFET Si8802DB
在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
關鍵字：
MOSFET 瞬態溫升
super junction mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條super junction mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對super junction mosfet的理解，并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。
創建詞條
super junction mosfet相關帖子
super junction mosfet資料下載
super junction mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473