Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。

　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。

　　Fairchild高功率工業(yè)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理趙進表示：「無論我們的客戶身處何種行業(yè)，他們都始終追求大幅提高其每一代新產(chǎn)品的效率、性能和可靠性，同時努力加快新產(chǎn)品上市的步伐。在設(shè)計新型SuperFET III MOSFET以幫助客戶實現(xiàn)其關(guān)鍵產(chǎn)品目標的同時，我們還確保這些器件能夠降低BOM成本、減小電路板空間并簡化產(chǎn)品設(shè)計?！?/p>

　　SuperFET III技術(shù)具有所有便捷驅(qū)動型超結(jié) MOSFET的最低Rdson，因此具有一流效率。這要歸功于先進的電荷平衡技術(shù)，與其前代SuperFET II產(chǎn)品相比，在同樣的封裝尺寸內(nèi)，該技術(shù)將Rdson降低了44%。

　　實現(xiàn)SuperFET III系列優(yōu)異堅固性和可靠性的關(guān)鍵因素是其一流的體二極管以及比最接近的競爭產(chǎn)品高兩倍的單脈沖雪崩能量(EAS)性能。

　　650V SuperFET III系列在關(guān)閉期間的峰值漏極-源極電壓更低，改善了系統(tǒng)在低溫運行條件下的可靠性，因為與室溫下相比，-25℃結(jié)溫時擊穿電壓自然降低了5%，而且低溫下的峰值漏極-源極電壓變得更高。

　　這些可靠性優(yōu)勢對于各種工業(yè)應用特別重要，例如光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和EV充電器，因為它們必須能夠承受更高或者更低的環(huán)境溫度。SuperFET III MOSFET系列于今日發(fā)布上市，具有多種封裝和參數(shù)選擇：