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非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計
- 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位，但在每個開關周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術，即非互補有源鉗位。該技術可確保以
- 關鍵字： MOSFET
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業標桿。該器件的應用領域十分廣泛，涵蓋電機驅
- 關鍵字： MOSFET
Power Integrations推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
- InnoSwitch3產品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數量，還可大幅提高電動汽車和工業應用的效率
- 關鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車 牽引逆變器
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