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        sic mosfet 文章 最新資訊

        功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

        • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的雙極性晶體管相比,反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用,而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
        • 關鍵字: 問題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率  

        Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

        •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。   
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

        MOSFET基礎:理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性

        • 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數,因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫...
        • 關鍵字: MOSFET  RDS  

        Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

        •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術,在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

        DC/DC 控制器驅動5V 邏輯電平 MOSFET 以實現高效率

        • 近日(2010年11月2日)凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
        • 關鍵字: MOSFET  

        IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier,簡稱IR)推出一系列25V及3...
        • 關鍵字: MOSFET  

        Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本

        •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動器,為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合,可構成完整的高效率同步穩壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節溫范圍內工作,而 I 級版本的工作溫度范
        • 關鍵字: Linear  MOSFET   

        利用低門限電壓延長電池壽命

        •         降低能量消耗、延長電池壽命,這是每個工程師在設計便攜式電子產品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢,所以便攜式產品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來,從事電源管理業務的半導體制造商盡力跟上終端系統用戶的需求。越來越多的便攜式電子產品在功能上花樣翻新,這些產品需要峰值性能,要求設計者在設備的物理尺度內實現盡可能高的效率。雖然電池行業努力開發具有比傳統鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術,但還遠不能滿
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

        用創新封裝簡化電源設計

        •          今天,電源工程師面臨的一個主要挑戰是如何減小商用電子產品中電源電路的電路板空間。在任何電子產品零售商店里轉上一圈,你就會發現個人電腦已經變得更小,甚至小型化已經成為許多電子設備的發展趨勢。隨著這些產品的尺寸不斷減小,它們的功能正在增加。在更小的空間內實現更多功能,意味著要縮小留給電源電路的面積,這會導致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴峻挑戰。   工程師應對這種挑戰的一個辦法是利用在MOSFET硅技術和封裝
        • 關鍵字: 電源設計  MOSFET  PowerPAIR  

        利用SiC大幅實現小型化 安川電機試制新型EV行駛系統

        • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車(EV)行駛系統(圖1)。該系統由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
        • 關鍵字: 安川電機  EV行駛系統  SiC  

        英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

        •   英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構,使得CoolMOS晶體管技術不斷優化,這為取得成功奠定了堅實基礎。   
        • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

        安森美半導體推出6款單通道功率MOSFET

        •   應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET,用于汽車模塊,采用小型扁平引腳(FL)封裝。   
        • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

        IR推出車用平面MOSFET系列

        •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列,適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。   
        • 關鍵字: IR   MOSFET  

        在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗

        • 摘要:升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率,設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統損耗。1引言  在開關電源設計中,效率是一個關鍵性的參
        • 關鍵字: 減少  開關  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

        安森美半導體推出六款汽車用功率MOSFET器件

        • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認證,采用小型扁平引腳封裝,兼具大額定電流及低導通阻抗,針對汽車...
        • 關鍵字: MOSFET  安森美半導體  
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        sic mosfet介紹

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