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意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
- 關鍵字： 東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
- 關鍵字： SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關鍵字： SiC
6.6 kW車載電動汽車充電器設計
- 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
- 關鍵字： 車載電動汽車充電器 NVHL060N090SC1 SiC
羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發布會成功召開。發布會上，賽事組委會發布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長梁爽出席此次發布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區文旅推介，向社會各界發出“跟著賽事游江夏”的邀
- 關鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 極氪
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