摘 要：針對目前通信系統應用上對壓控振蕩器的片上集成、寬調諧、調幅、啟動特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設計了一種壓控調頻調幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結構，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
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CMOS VCO 電流 折疊技術
銳迪科微電子 (RDA) 日前宣布，其應用于地面數字電視接收的高性能射頻接收芯片量產，這也是在該領域國內首顆成功上市的芯片，標志著國外芯片壟斷國內市場的歷史從此改寫。該芯片型號為 RDA5880，采用 CMOS 工藝，QFN32 5*5封裝，片外器件極少，具備高集成度的特點，支持自動增益控制模式，能夠支持目前所有的數字電視廣播傳輸標準(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模擬電視標準，支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
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RDA 地面數字電視 射頻接收芯片 CMOS RDA5880
近日， Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)發布一款完整的、全球兼容的混合電視調諧器(hybrid TV tuner)，該Si2170組件在CMOS單芯片上集成了模擬電視解調器。利用Silicon Labs備受肯定的數字低中頻架構，Si2170成為業界首個性能超越傳統分立式電視調諧器的硅電視調諧器(Silicon TV tuner)，不僅能為電視生產廠商提供更佳的畫質，更帶來卓越的模擬和數字廣播接收能力。超高集成度可減少100多個分立器件的使用，針對數字電視(iDTV)、機
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Silicon CMOS 電視調諧器
新聞事件：
飛思卡爾半導體傳感器裝運量突破10億只
行業影響：
飛思卡爾在業內商用汽車傳感器供應商中排名第一
代表了飛思卡爾與客戶的一個重要里程碑
飛思卡爾半導體提供的傳感器技術創新，幫助全球客戶過去三十年在汽車、消費、工業和醫療產品上實現重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領域處于領先地位，最近其傳感器裝運量突破10億只，取得重要里程碑。
飛思卡爾提供行業內范圍最廣的傳感器產品系列，在成熟的傳感器市場中擁有強勁的發展趨勢，該市場涵
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飛思卡爾 傳感器 CMOS
繼臺積電上周于技術論壇中廣發MEMS英雄帖后，中芯MEMS部門升格為獨立部門，以展現深耕MEMS市場決心。中芯表示，踏入此市場僅約1年，但預計2009年底前，已有3項商品已可進入大量投產，而市場上每項MEMS產品，中芯至少都有1個客戶，因此對中芯來說，MEMS成長潛力值得期待。
臺積電于上周舉辦技術論壇中對于MEMS市場相當看好，指出進入MEMS市場到現在為止已有7年，當中已累計出多項制程及IP技術，除此之外，臺積電更已可提供標準制程(StandardProcess)，讓MEMS客戶可安心至臺積
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中芯國際 MEMS IP CMOS SoC
按Yole Developpement報道,全球MEMS工業正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達68億美元,其2009年非常可能增長率小于1%。然而當汽車電子,工業壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經濟下滑時,許多新的MEMS應用卻得到切實的增長。
MEMS在消費類電子產品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續看好,推動供應商如STMicron(日內瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫療電子和診斷設備的應用擴大,其市場繼續增大。今年新
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MEMS 傳感器 CMOS 芯片堆疊封裝 TSV 納米印刷
臺積電在MEMS領域歷經7年苦練后，與客戶關系由接受指導，轉變成共同合作開發，臺積電主流技術事業發展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺積電MEMS將進入收成期。
劉信生在出席臺積電技術研討會時指出，臺積電在MEMS上布局已有7年左右，經過幾年努力，相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺積電現已能提供多種標準制程模塊(Process Module)供客戶使用，包含蝕刻模塊、掏空模塊等，MEMS客戶至臺積電投產，僅需針對MEMS產品內部架構設計，其余交給臺積電
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臺積電 MEMS CMOS 晶圓代工
不僅擴充先進制程研發、產能，臺積電主流制程技術也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場，臺積電主流技術事業發展處長劉信生表示，目前臺積電在電源管理IC約150億~160億美元市場市占率約個位數，絕大部分市場由IDM業者把持，不過未來他看好IDM業者產能不足情況下轉單到晶圓代工的可能性，同時也將全力扶持臺灣IC設計客戶搶進此一市場。
劉信生表示，在電源管理市場規模約150億~160億美元中，幾近8~9成是由IDM業者所把持，目前臺積電不論在設計環境與制程平臺上都已做足準備，積極搶攻此市場
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臺積電 電源管理IC IDM CMOS
采用恒流源充放電技術，以比較器為核心，利用一種新型真隨機數發生器產生隨機控制信號，設計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內。通過Cadence spectre仿真工具對電路進行仿真驗證，結果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內產生隨機振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉換器的噪聲性能。
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CMOS 隨機數發生器 擴展頻譜 振蕩器
在去年的Freescale全國大學生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設計和軟件處理較復雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數據的前提下，討論如何對數據進行處理和控制策略的實現。
數據采集
我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進行信號分離，結合AD采樣
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飛思卡爾 智能車 傳感技術 CMOS 攝像頭
Thomson Reuters12日報導，法院相關文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據破產法第11章聲請破產保護。根據報導，MagnaChip列出的資產總額達5,000萬美元，負債則超過10億美元。
2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業半導體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導體代工策略
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Magnachip CMOS 傳感器 液晶顯示器驅動芯片 微控制器
NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發協議，允許聯合開發使用于消費者產品的28 納米半導體技術。
這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。
東芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28納米 半導體
霍爾傳感器是一種基于霍爾效應的器件，它能實現磁電轉換，可用于檢測磁場及其變化。
霍爾效應雖然在1879年才被發現，但是直到20世紀50年代才出現了對其的應用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中，從而促進了霍爾器件的應用。
經歷三大發展階段
霍爾器件的發展大致可分為三個階段：
第一階段是從霍爾效應被發現到20世紀40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
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霍爾傳感器 CMOS A/D轉換器 總線接口
NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術官Rene Penning de Vries表示該技術將十分“有希望”。
他表示，“我們已經看到了很好性能。下一個問題是是否繼續生產。”他還補充道，這一決議還未作出。PCM的關鍵優勢在于可以在斷電時也能保存數據，作為當前環保節能戰略的積極響應，因此前景十分看好。預計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術
摘 要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機串口UART芯片實現單片機的ISP下載。PC機串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個引腳的電平可通過其內部的幾個寄存器分別進行控制或讀取，利用引腳可實現單片機的ISP下栽
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及其 程序設計 原理 工作 編程器 SI-PROG
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