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        基于A3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

        • 采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn),由于A3125資源較為豐富,除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外,還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能,功能上高于上述的方案。


            功能特點(diǎn):
            1、采用Actel中等容量
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        三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

        •   三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時(shí),雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張,甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊,三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。   三星器興廠發(fā)生停電意外,在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后,1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作,估計(jì)此事件對公司營運(yùn)影響不大。   存儲器業(yè)者指出,這次三星受影響廠區(qū)
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        中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠商受惠

        •   上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后,包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。   由于中芯過去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能,成為國內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市場SDRAM最大供應(yīng)商,此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵,128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價(jià)近日飆出新天價(jià),臺灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。   中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬片8吋芯片規(guī)模,在大陸消費(fèi)性電子及家電市場,擁有超過30%的市場占有率,
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        基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)

        •  1 引言  DDR3 SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn),對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲
        • 關(guān)鍵字: 控制器  設(shè)計(jì)  SDRAM  DDR3  Stratix  III  基于  控制器  

        多路讀寫SDRAM接口設(shè)計(jì)

        • 存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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        Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗(yàn)證

        •   韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證,Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品,另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。   這次通過驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條),驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz,芯片電壓為1.5V。   Hynix宣稱
        • 關(guān)鍵字: Hynix  40nm  SDRAM  50nm  

        實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)

        • 描述了一種在PAL→VGA的實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理的方法。針對實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)一般使用2片SDRAM進(jìn)行乒乓緩存的方式,給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進(jìn)行乒乓操作的相對容易實(shí)現(xiàn)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)方法。該方法通過充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計(jì)數(shù)的方式進(jìn)行讀寫狀態(tài)轉(zhuǎn)換,在PAL→VGA實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了利用一片SDRAM進(jìn)行圖像緩存。它在實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理方面,具有良好的應(yīng)用價(jià)值。
        • 關(guān)鍵字: 控制器  設(shè)計(jì)  SDRAM  系統(tǒng)  視頻  采集  實(shí)時(shí)  

        以FPGA為橋梁的FIFO設(shè)計(jì)方案及其應(yīng)用

        • 引言在利用DSP實(shí)現(xiàn)視頻實(shí)時(shí)跟蹤時(shí),需要進(jìn)行大量高速的圖像采集。而DSP本身自帶的FIFO并不足以支持...
        • 關(guān)鍵字: FPGA  FIFO  SDRAM  DSP  

        電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

        • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相...
        • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  DDR  SDRAM  存儲器  便攜設(shè)備  

        電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇

        • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相...
        • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  DDR  SDRAM  存儲器  便攜設(shè)備  

        多端口SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

        •  0 引 言  目前,在很多視頻數(shù)據(jù)采集以及實(shí)時(shí)顯示的應(yīng)用開發(fā)中,常需要用到存儲容量大、讀寫速度快的存儲器。在各種存儲器件中,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM 以其速度快、容量大、價(jià)格低的特點(diǎn)而備受關(guān)注。SDRAM 的工
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  多端口  控制器    

        爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成

        •   爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段,年底前則可實(shí)現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達(dá)公司表示,這種新芯片的面積更小,總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%,而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達(dá)100%。   比較舊有的50nm制程產(chǎn)品,新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電流只有前者的2/3左右,支持1.2V/1.35V的較低工作電壓,同時(shí)也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  40nm  SDRAM  內(nèi)存芯片  

        基于FPGA的高速SDRAM控制器的視頻應(yīng)用

        • 0 引言
          SDRAM(同步動(dòng)態(tài)存儲器)是一種應(yīng)用廣泛的存儲器,具有容量大、數(shù)據(jù)讀寫速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),特別適合那些需要海量存儲器的應(yīng)用領(lǐng)域,例如視頻方面。
          這里有一個(gè)視頻項(xiàng)目要求將非標(biāo)準(zhǔn)的ITU-R BT.
        • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  控制器  視頻應(yīng)用    

        6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1,DDR3 SDRAM開始發(fā)力

        •   市場調(diào)研公司VLSI Research指出,6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來首次超過1。   VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示,6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01,是去年7月來首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元,較5月增長40%,但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長31%,達(dá)24億美元,但較去年6月減少57%。   VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平,但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢。后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長,后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備  SDRAM  存儲器  芯片設(shè)備  

        VLSI Research:6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1

        •   市場調(diào)研公司VLSI Research指出,6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來首次超過1。   VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示,6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01,是去年7月來首次突破1。   6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元,較5月增長40%,但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長31%,達(dá)24億美元,但較去年6月減少57%。   VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平,但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢。   后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長,后端工廠產(chǎn)能利
        • 關(guān)鍵字: 芯片設(shè)備  半導(dǎo)體設(shè)備  SDRAM  存儲器  
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        sdram介紹

          SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。   SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]

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