聯(lián)華電子TSV技術進入量產階段，驅動AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能

　　聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術，已經進入量產階段，此產品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術，在硅中介層上融合

　　連結 AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標準達4倍的每瓦性能表現(xiàn)。

　　聯(lián)華電子市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山杰表示：「AMD 致力于將頂尖GPU產品帶入市場，具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果，我們很榮幸能運用此技術的性能優(yōu)勢，協(xié)助AMD強化其新一代GPU產品。展望未來，聯(lián)華電子期盼與 AMD繼續(xù)攜手，延續(xù)這份成果豐碩的伙伴關系。」

　　AMD資深院士(senior fellow)　Bryan Black 表示：「從開始研發(fā)以至量產階段，聯(lián)華電子皆採用創(chuàng)新技術打造客戶產品，這是AMD選擇聯(lián)華電子合作硅中介層及相關 TSV 技術的關鍵因素。聯(lián)華電子此次順利將 TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上，再次證明了其堅實的專業(yè)能力。本公司很榮幸能擁有聯(lián)華電子作為我們的供應鏈伙伴，協(xié)助我們推出全新Radeon 系列產品。」

　　AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒，皆置放于聯(lián)華電子TSV製程的中介層上，透過CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術，這些晶片之間可于中介層彼此連通，因此得以實現(xiàn)AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV硅中介層技術系于聯(lián)華電子位于新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。