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        rf-cmos 文章 最新資訊

        AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

        •   傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率,可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。   AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇,同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。   新的傳感器以AMI&nb
        • 關(guān)鍵字: 2400dpi  AMIS  CMOS  圖像傳感器  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

        飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半

        •  緊湊型解決方案支持 DigRF 接口,縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間 通過(guò)擴(kuò)大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機(jī)設(shè)計(jì)的RF產(chǎn)品,飛思卡爾半導(dǎo)體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個(gè)收發(fā)器子系統(tǒng),具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度,并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過(guò)簡(jiǎn)化編程,新
        • 關(guān)鍵字: EDGE  RF  尺寸減半  單片機(jī)  飛思卡爾  嵌入式系統(tǒng)  子系統(tǒng)  

        RF & IF Design

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        • 關(guān)鍵字: IF  RF  模擬IC  電源  

        32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

        CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

        • 本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA,但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  多頻  低噪聲  放大器設(shè)計(jì)    

        超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

        • 本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析,并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
        • 關(guān)鍵字:   CMOS    TTL    單片機(jī)  

        MCU 中輸入/輸出口的使用

        • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
        • 關(guān)鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  

        基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

        • 引言 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
        • 關(guān)鍵字: CMOS  RF專題  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  射頻  振蕩器  

        集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

        • 集成多路模擬開關(guān)(以下簡(jiǎn)稱多路開關(guān))是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。  關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對(duì)器件自身介紹較多,而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關(guān)的種類,注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
        • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  放大器  模擬技術(shù)  模擬開關(guān)  

        手機(jī)多頻帶切換力推RF MEMS 開關(guān)發(fā)展

        • 手機(jī)的發(fā)展要求在以低插入損耗進(jìn)行多頻帶和多模頻帶切換的同時(shí)仍保持優(yōu)良的線性特性,這推動(dòng)了RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復(fù)雜波形如WiMAX添加到混合信號(hào)上,多頻帶的切換問(wèn)題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點(diǎn)播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù),網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對(duì)手機(jī)設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。無(wú)線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機(jī)可以使用7種不同的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)(頻帶),包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見(jiàn)表1)。每種標(biāo)準(zhǔn)自身均具有獨(dú)特的特性和限制,并因此產(chǎn)生了自
        • 關(guān)鍵字: 0609_A  MEMS  RF  RF專題  消費(fèi)電子  雜志_專題  消費(fèi)電子  

        ADI推出兩款新型高集成度RF收發(fā)器

        • ADI公司用于WiMAX終端的高集成度RF收發(fā)器推動(dòng)寬帶無(wú)線接入的部署 ——兩款新型直接變頻收發(fā)器提供高集成度和優(yōu)異的RF性能    使低成本W(wǎng)iMAX終端具有擴(kuò)展的覆蓋范圍和改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量。 美國(guó)模擬器件公司10月10~12日在美國(guó)波士頓WiMAX世界峰會(huì)上展示了兩款用于全球微波接入互通(WiMAX)終端的射頻 (RF)收發(fā)器,它們將有助于降低成本,推動(dòng)寬帶無(wú)線接入的大規(guī)模部署。基于IEE 802.16標(biāo)準(zhǔn),WiMAX終端提供無(wú)線寬帶連接,是諸如DSL和
        • 關(guān)鍵字: ADI  RF  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  收發(fā)器  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無(wú)線  

        ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

        帶RF輸出的全數(shù)字調(diào)制器設(shè)計(jì)

        • 目前的無(wú)線電結(jié)合了模擬和數(shù)字構(gòu)造模塊。RF功能還是適合模擬電路實(shí)現(xiàn),而基帶功能更適合于DSP的實(shí)現(xiàn)。
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  調(diào)制器  數(shù)字  輸出  RF  

        集成CMOS對(duì)稱式收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計(jì)

        • 本文分析了影響對(duì)稱式射頻收/發(fā)開關(guān)性能的因素,包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  開關(guān)  對(duì)稱  CMOS  集成  
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        rf-cmos介紹

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