rf-cmos 文章 最新資訊
嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索
- 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開發(fā)受到限制。現(xiàn)在，已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類屏幕市場的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 在傳統(tǒng)光學(xué)存儲設(shè)備中，數(shù)
- 關(guān)鍵字： CMOS 成像器 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)檢索
用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字： CMOS X射線 電源技術(shù) 晶圓級 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設(shè)備診斷類
OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
- 關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程
常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理
- 開關(guān)在電路中起接通信號或斷開信號的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動繼電器的驅(qū)動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號。 一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個封裝內(nèi)部有4個獨(dú)立的模擬開關(guān),每個模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
- 關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開關(guān) 數(shù)控電阻 電阻 電位器
ROHM開發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器
- ROHM株式會社針對力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品，并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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NI發(fā)布11款基于PXI的RF開關(guān)模塊
- 美國國家儀器有限公司（National Instruments，簡稱NI）發(fā)布了11款新的RF開關(guān)，將50 和75 Ohm 應(yīng)用的PXI RF開關(guān)模塊的選擇增多了一倍。這些模塊包括4x1、4x1匹配、4x1雙向、8x1雙向多路復(fù)用器以及四重SPDT和雙匹配SPDT通用配置。有了這些產(chǎn)品，工程師們可以基于性價比和改善信號完整性的考慮，自主選擇優(yōu)化他們的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。6款新的2.5 GHz 75 ohm模塊是NI為高頻率視頻應(yīng)用（例如置頂盒測試等）推出的第一批產(chǎn)品。5款2.7 GHz 50 ohm模塊是NI現(xiàn)
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帶有MSP430與Chipcon RF模塊的開發(fā)工具
- 編號為MSP-EXP430FG4618的MSP430實(shí)驗(yàn)板可幫助設(shè)計(jì)人員利用高集成度片上信號鏈(SCoC)MSP430FG4618 或 14 引腳小型F2013 微控制器快速開發(fā)超低功耗醫(yī)療、工業(yè)與消費(fèi)類嵌入式系統(tǒng)。該電路板除集成兩個 16 位 MSP430 器件外，還包含一個 TI（Chipcon 產(chǎn)品線）射頻 (RF) 模塊連接器，以用于開發(fā)低功耗無線網(wǎng)絡(luò)。另外，它還支持多種輸入輸出選項(xiàng)，其中包括擴(kuò)音器、蜂鳴器、液晶顯示屏 (LCD)、電容觸摸板、按鈕以及引腳板原型空間等。 利用兩款 MSP430
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加拿大Lyrtech推出四通道雙波段射頻接收機(jī)Quad Dual-Band RF Transceiver
- 加拿大Lyrtech公司推出新產(chǎn)品：四通道雙波段射頻接收機(jī)“Quad Dual-Band RF Transceiver”。近幾年，Lyrtech公司一直致力于MIMO技術(shù)的開發(fā)和優(yōu)化設(shè)計(jì)工作，該產(chǎn)品成為Lyrtech MIMO系統(tǒng)集成解決方案的重要組成部分。 Quad Dual-Band RF Transceiver 是由Lyrtech和COMLAB 公司聯(lián)合開發(fā)的。該接收機(jī)是一個四通道MIMO射頻模擬前端，
- 關(guān)鍵字： Dual-Band Quad RF Transceiver 電源技術(shù) 加拿大Lyrtech 模擬技術(shù) 四通道雙波段射頻接收機(jī) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
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CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)
- CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
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