在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
網絡已經普及，更多的人已經將眼光投向了移動互聯網，扭頭看一下，無論走到哪里，很多人已經不再注意身邊的美景，而是全身關注的盯著手機屏幕。是無線網絡的發展催生了手機還是手機的普及加快了無線網絡的應用，探討這個問題，毫無意義，既然已成趨勢，業內必爭相進入。
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因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產能擴增至現行的2-3倍。
目前，三菱化學利用水島事業所和筑波事業所生產的GaN基板，生產的產品直徑為2寸，月產能分別為1,000片、數百片。
而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調整水島事業所現有設備的制程，開始生產直徑為4寸的GaN基板，月產能為200-300片，并計劃憑借新設生產設備或增設廠房等措施，開始生產6寸GaN基板，將GaN基板產能擴增至現行的2-3倍
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LED GaN
由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設計創新會議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國際會議中心隆重舉行。
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Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出了其頗受歡迎的ADIsimRF?設計工具的全新版本。該免費設計工具是與ADI公司全系列RF轉數字功能模塊相配套的軟件，通過該設計工具，工程師可以使用ADI公司的RF IC和數據轉換器產品系列進行RF信號鏈建模。
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在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提之下，集成度究竟能夠達到多高? 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必須采用特殊工藝來制造：在射頻 (RF) 領域采用GaAs和SiGe工藝，高速 ADC 采用細線 CMOS 工藝，而高品質因數 (High-Q) 濾波器則無法采用半導體材料很好地實現。此外，市場對于提高集成度的需求并沒有停止。
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MAX9930~MAX9933系列RF控制器和檢測器適用于各種應用，其中，通過光纖傳輸有線電視信號(CATV)是該系列器件非常理想的應用之一，利用RF控制器或RF檢測器控制互阻放大器(TIA)的增益。本文介紹了如何使用MAX9930構成RF控制器或檢波器。
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Maxim Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)將在2013移動世界大會(巴塞羅那，西班牙)上展出獨特的高集成度、面向移動平臺的便攜設備和通信方案。Maxim將通過九個互動演示區，展示消費類及RF/通信應用方案。Maxim的所有移動產品均為高集成度方案，因而性能更佳，并可大幅降低占用空間、成本，縮短設計時間。
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致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布提供一款用于起搏器、去纖顫器和神經刺激器等植入式醫療設備的完整的醫療網絡(med-net)無線電鏈接。
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2013 年 1 月 24 日 – Mouser Electronics宣布對 Mouser.com 上涵蓋射頻 (RF)無線技術的最新技術網站內容的擴充，現已能提供領先的即插即用射頻解決方案。
通過該全新射頻無線技術網站的增強型解決方案中心，能夠幫助設計工程師挑選無線電頻率經驗證的最新集成解決方案和即插即用模塊，并即時為現有應用增加無線功能。 該解決方案中心匯聚了來自 Skyworks、Murata、Panasonic 和 Texas Instruments 等業界領先的制造商提供
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電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無線模塊
線性是多模多載波無線網絡的一個關鍵性能，這些網絡包括寬帶第三代(3G)和第四代(4G)蜂窩系統，包括減小了覆蓋區域并且采用低發射功率架構的小型蜂窩基站。其亮點在于射頻/微波功率放大器(PA)能以低成本和低系統功耗提
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近年來隨著電子技術的高速發展，越來越多的功能集成到手機中。
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上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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