qlc nand 文章 進入qlc nand技術社區
預估第二季NAND Flash均價續跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原廠持續進行減產，然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態，故TrendForce集邦咨詢預估，第二季NAND Flash均價仍將持續下跌，環比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規模的減產，TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續下修，NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續疲弱，均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
- 關鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash 大降價，固態硬盤取代機械硬盤指日可待
- 相信有很多小伙伴已經注意到了，目前市場上很多固態硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據集邦咨詢的數據顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業級固態硬盤）是下跌最劇烈的產品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態
- 關鍵字： NAND Flash
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑，第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
- 關鍵字： 存儲器 DRAM NAND Flash
存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
- 關鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士
均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環比增長僅5.3%，平均銷售單價環比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產業營收環比下跌25.0%，達
- 關鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經不佳導致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
- 關鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現
- 在現代電子設備中，越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯。根據NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態機電路，靈活地實現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進行測試驗證。
- 關鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
qlc nand介紹
您好，目前還沒有人創建詞條qlc nand!
歡迎您創建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創建詞條
歡迎您創建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創建詞條
qlc nand電路
qlc nand相關帖子
qlc nand資料下載
qlc nand專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473