- NAND 閃存已經達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
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NAND
- 內存和存儲芯片制造商三星發布了其首款容量高達60TB的企業級固態硬盤（SSD），專為滿足企業用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態硬盤。對比2020年發布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
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三星 固態硬盤 V-NAND
- 《科創板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND
Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開始量產的NAND
Flash產品堆疊218層數據存儲元件，和現行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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鎧俠 NAND Flash
- 7月1日消息，據國內媒體報道稱，四川科學家借力AI 開發出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發表最新研究成果，開發出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領域內70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經歷反復極化切換后，極化只能實現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發現報道，
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存儲芯片 TLC QLC
- 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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三星 第九代 V-NAND
- 據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環境，鎧俠發布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續根據
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鎧俠 NAND
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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QLC NAND 閃存
- 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。如果上述材料研發順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星 NAND 存儲
- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星 NAND Flash
- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000
TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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三星 1000層 NAND
- · 作為業界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現業界最高
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SK海力士 AI 存儲 NAND
- 據TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND
Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已出現連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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DRAM NAND Flash TrendForce
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現已量產，并在部分?Crucial?英睿達固態硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業級存儲客戶量產，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術領域的長期領導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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美光 QLC NAND
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