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        nano nor flash 文章 最新資訊

        基于TMS320DM642的Flash編程

        • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見(jiàn)的Flash編程方法,然后詳細(xì)介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個(gè)實(shí)現(xiàn)過(guò)程并分析了Flash編程時(shí)需要注意的一些問(wèn)題。  Flash編程方法  常見(jiàn)的Flash編程方式  Flash在正常使用
        • 關(guān)鍵字: 編程  Flash  TMS320DM642  基于  

        C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

        • 本文以基于三個(gè)C6201/C6701 DSP芯片開(kāi)發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例,介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
        • 關(guān)鍵字: C6201  C6701  FLASH  DSP    

        基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

        •   在一些軍用芯片的早期設(shè)計(jì)中,一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式),而商用 ...
        • 關(guān)鍵字: AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

        C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

        • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
          TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒(méi)有
        • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

        三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

        •   據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),2011年第1季NAND Flash市場(chǎng)上,日廠東芝(Toshiba)猛力追擊,以市占率0.3%差距,威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來(lái)業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(zhǎng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上,三星仍坐擁壓倒性的市占率。
        • 關(guān)鍵字: 三星  Flash  

        基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

        • 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開(kāi)發(fā)環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測(cè)試結(jié)果表明,該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù),能夠檢測(cè)出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤,對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
        • 關(guān)鍵字: Flash  FPGA  NAND  ECC    

        支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng)

        • 支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言  在實(shí)際開(kāi)發(fā)中,為了提高開(kāi)發(fā)效率,大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板,并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過(guò)程中.除了CPU以外,另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件。  2 系統(tǒng)介紹  采
        • 關(guān)鍵字: 嵌入式  系統(tǒng)  計(jì)算機(jī)  單板  Flash  支持  

        一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

        • 摘要:從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā),對(duì)SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下,快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件,描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法,具有
        • 關(guān)鍵字: T1024  FLASH  1024  25T    

        Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
          嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
        • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  文件  嵌入式  損耗  均衡  Flash  

        Spansion公司榮獲同洲電子“年度供應(yīng)商”殊榮

        • 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布公司榮獲由機(jī)頂盒市場(chǎng)龍頭企業(yè)同洲電子(Coship)授予的“2010年度供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。2007年,Spansion公司獲得同洲電子最佳合作伙伴獎(jiǎng);2009年及2010年,Spansion公司成為獲得“年度供應(yīng)商”稱號(hào)的獨(dú)家閃存供應(yīng)商。這項(xiàng)殊榮授予Spansion公司體現(xiàn)了公司秉承為顧客提供創(chuàng)新產(chǎn)品和全球領(lǐng)先服務(wù)的宗旨。
        • 關(guān)鍵字: Spansion  NOR  

        終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

        •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過(guò)10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過(guò)15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場(chǎng)是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長(zhǎng)陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些,但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

        flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

        • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

            我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系
        • 關(guān)鍵字: 實(shí)現(xiàn)  電路  接口  flash  

        嵌入NOR閃存穩(wěn)步增長(zhǎng)

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,包括蘋(píng)果iPad等流行平板設(shè)備在內(nèi)的多種應(yīng)用,正在增加使用嵌入NOR閃存,該市場(chǎng)2011年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%,達(dá)到39.6億個(gè)。  
        • 關(guān)鍵字: NOR  平板電腦  

        基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問(wèn)題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過(guò)使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),提高了整
        • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  大容量  存儲(chǔ)    

        NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

        • 0 引言  計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展,存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
        • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  儲(chǔ)存  測(cè)試系統(tǒng)    
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        nano nor flash介紹

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