nano nor flash 文章最新資訊

中國(guó)下個(gè)購(gòu)并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片

　　中國(guó)政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團(tuán)陸續(xù)收購(gòu)或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。現(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為，中資集團(tuán)下一波購(gòu)并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。　　資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示，中國(guó)近期積極透過(guò)購(gòu)并，來(lái)改善半導(dǎo)體自制比例過(guò)低的情形，現(xiàn)今中國(guó)在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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賽普拉斯推出業(yè)內(nèi)最快、支持?jǐn)U展溫度范圍的64Mb Quad SPI NOR閃存

　　嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日發(fā)布一款配備四串行外設(shè)接口(Quad SPI)的1.8V 、64Mb NOR閃存產(chǎn)品。借助Quad SPI接口，賽普拉斯FS-S NOR閃存家族中的這個(gè)最新成員能夠提供業(yè)內(nèi)最高的讀取帶寬和最快的編程速度，同時(shí)具備小巧的PCB布局，是視頻電子游戲機(jī)、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車儀表盤(pán)及信息娛樂(lè)系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和機(jī)頂盒等高性能應(yīng)用的理想選擇。　　高性能系統(tǒng)需要最高的讀取帶寬來(lái)執(zhí)行程序，同時(shí)需要小尺寸低引腳數(shù)的
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TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限

　　全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元，因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，須搭配使用控制器，透過(guò)硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理，以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本，在售價(jià)大幅下降情況下，愈來(lái)愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì)，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆m然NAND Flash短期內(nèi)受到供過(guò)于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
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臺(tái)半導(dǎo)體整并再一樁，晶豪科 2016 年中并宜揚(yáng)

　　隨著全球半導(dǎo)體大者恒大的趨勢(shì)底定，加以紅色供應(yīng)鏈頻頻發(fā)動(dòng)并購(gòu)，不少臺(tái)半導(dǎo)體廠也紛紛開(kāi)始整合，尋求新的可能，從聯(lián)發(fā)科今年一舉并購(gòu)四臺(tái)廠，到日月光收購(gòu)矽品股份的動(dòng)作可見(jiàn)一斑。尤有甚者，利基型記憶體 IC 設(shè)計(jì)廠商晶豪科與旗下 NOR Flash IC 設(shè)計(jì)公司宜揚(yáng)也宣告合并，整合資源。　　晶豪科在 2011 年即取得宜揚(yáng) 19.94% 股份，10 日更進(jìn)一步宣布將與宜揚(yáng)換股進(jìn)行整并，以晶豪科為存續(xù)公司、宜揚(yáng)為消滅公司。換股比例暫訂為宜揚(yáng)普通股 2.55 股換晶豪科普通股 1 股。為合并宜揚(yáng)晶豪科也將增
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 NOR

中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆m然NAND Flash短期內(nèi)受到供過(guò)于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
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科技行業(yè)為Flash準(zhǔn)備“葬禮”

過(guò)去多年時(shí)間里，來(lái)自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應(yīng)當(dāng)走向消亡。
關(guān)鍵字： Adobe Flash

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫(xiě)的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。　　　　圖1存儲(chǔ)部分原理框圖　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
關(guān)鍵字： ARM7 FLASH

研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動(dòng)流程　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動(dòng)后會(huì)重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。　　VxWorks內(nèi)核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
關(guān)鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD

NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長(zhǎng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jī)雙雙下滑。　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日?qǐng)?bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長(zhǎng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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儲(chǔ)存市場(chǎng)新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待

　　儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場(chǎng)。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來(lái)將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。　　據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲(chǔ)存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠
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大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash