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        nano nor flash 文章 最新資訊

        基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

        • 載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù),因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

        基于SPI FLASH的FPGA多重配置

        • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
        • 關(guān)鍵字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

        提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

        • 在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
        • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機(jī)  Flash  擦寫壽命    

        馬爾文Zetaszier Nano-ZS儀器測量操作程序

        • 一.開機(jī):先打開儀器再開電腦和軟件。開機(jī)后儀器預(yù)熱半小時(shí)。二.在桌面上點(diǎn)擊DTS(Nano)軟件,進(jìn)入儀器測量...
        • 關(guān)鍵字: 馬爾文  Zetaszier  Nano-ZS  儀器測量操作  

        武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

        • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
        • 關(guān)鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

        單片機(jī)高手是怎樣煉成的

        • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫:“我想學(xué)單片機(jī)”,“我要學(xué)單片機(jī)”,“如何入門啊?”,“你們怎么這么厲害,是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題,實(shí)在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無數(shù)老蝦的磚頭,在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得,讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
        • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  LED  LCD  FLASH  USB  

        ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

        • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
        • 關(guān)鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

        武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國存儲半導(dǎo)體業(yè)

        •   12月12日,工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機(jī)與芯片聯(lián)動,打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”。會議期間,受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。   據(jù)了解,武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目,是國家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存
        • 關(guān)鍵字: 新芯  NOR  存儲半導(dǎo)體  

        AVR的主要特性

        • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
        • 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī)  ATMEL  Flash  

        缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法

        • 對FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級語言開 ...
        • 關(guān)鍵字: 仿真器時(shí)  avr單片機(jī)  FLASH  

        ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

        • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
        • 關(guān)鍵字: ARM編程  Flash  ROM驅(qū)動    

        單片機(jī)下程序RAM, ROM ,F(xiàn)lash

        • 8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié),一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼,即1~4個(gè)字節(jié),其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁,所以這樣 ...
        • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  RAM  ROM  Flash    

        基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

        • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動程序。
        • 關(guān)鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

        2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

        •   FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。   LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來看,主流規(guī)
        • 關(guān)鍵字: Flash  LED  

        國際廠競搶Flash LED新高地 明年恐見殺價(jià)潮

        •   LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑,壓縮各廠獲利空間,廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外,也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存,因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場,除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外,臺廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者,但近期市場傳出,韓廠三星將走出過去堅(jiān)守的4139封裝規(guī)格,計(jì)劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多,估計(jì)FlashLED明年將會見到一波價(jià)格下殺潮。   消費(fèi)者對于智慧型手機(jī)要求越來越高,除處理效能要接近電腦外,就連照相功能也向
        • 關(guān)鍵字: Flash  LED  
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        nano nor flash介紹

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