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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

第二季NAND Flash營收環比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態勢延續，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產業營收環比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產行列，且預期第三季將擴大減產幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產業供應商家數多，在庫存仍高的情
關鍵字： NAND Flash TrendForce

NAND Flash第四季價格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷售價格皆已接近生產成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產，以期帶動價
關鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

使用NAND門的基本邏輯門

邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進制數，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然。可能出現的級數由 2a 計
關鍵字： NAND 邏輯門

采用NAND和NOR門的SR觸發器

在本教程中，我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態，而不取決于輸入或輸出的過去狀態。除了少量的傳播延遲外，當輸入發生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
關鍵字： NAND NOR門 SR觸發器

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
關鍵字：三星 NAND 閃存

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
關鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實現

傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據，會覆蓋上次存儲的數據，無法進行數據的連續存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖，并進行了驗證。
關鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區起始地址

因業務低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產，該生產區主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續低迷，業界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發布的 2023 年第一季度財報中也正式
關鍵字：三星電子 V-NAND

基于NAND門的行李安全警報

在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當有人試圖提起你的行李時，它就會發出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
關鍵字： NAND 邏輯門

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

據TrendForce集邦咨詢調查，5月起美、韓系廠商大幅減產后，已見到部分供應商開始調高wafer報價，對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化，現階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
關鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

傳鎧俠/西數合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

近日，據日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數據的合并經營已經進入最終收尾調整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱，鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開展半導體生產及營銷的方案等，未來雙方將進行經營合并，擬由鎧俠掌握主導權，關于出資比率等將繼續探討。報道稱，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業績低迷，鎧俠和西部數據此舉意在提升經營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
關鍵字：鎧俠西數 NAND Flash 三星

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]