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        nand 文章 最新資訊

        KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

        • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架,針對研發(fā)生產存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示:“利用單一的高能量電子
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

        • 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查,盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降,但云端服務、遠距教學的需求也同步催生,加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出,當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻,初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變,首次轉進SSD的
        • 關鍵字: NAND Flash  

        三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產線

        • 據國外媒體報道,三星電子日前表示,計劃投資8萬億韓元(約合人民幣466億元)在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始,預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示,此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網等第四次工業(yè)革命,以及5G普及而來的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設生產線,新產線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設,預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產線,韓國將擁有7條
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

        集邦咨詢:數據中心需求大增,NAND Flash營收成長8.3%

        • 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%,達136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數據中心強勁采購力道,第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外,自年初起,各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常,也帶動主要產品合約價呈現上漲。隨后在農歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情,根據集邦咨詢當時的調查,服務器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機,也因此對于數據中心需求
        • 關鍵字: NAND  三星  intel  

        集邦咨詢:數據中心需求大增,第一季NAND Flash營收成長8.3%

        • 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%,達136億美元。
        • 關鍵字: 集邦咨詢  數據中心  NAND Flash  

        英特爾最新發(fā)展藍圖:明年或全面轉向144層堆疊NAND

        • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步,開始有了新的進度。根據外媒報導,英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖,在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下,作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產品發(fā)展。
        • 關鍵字: 英特爾  144層  NAND  

        群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

        • 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
        • 關鍵字: 群聯(lián)  控制芯片  長江存儲3D NAND  

        群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

        • 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
        • 關鍵字: 群聯(lián)  3D NAND  長江存儲  

        長江存儲:128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

        • 據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總
        • 關鍵字: 長江存儲  3D NAND  

        集邦咨詢:受新冠肺炎疫情擴大沖擊,NAND Flash均價可能提前于下半年反轉向下

        • 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產出年成長收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
        • 關鍵字: 集邦咨詢  新冠肺炎  NAND Flash  

        華邦電進軍車用、工業(yè)領域

        • 存儲器大廠華邦電近日宣布,開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業(yè)應用領域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
        • 關鍵字: 華邦電  NAND Flash  車用與工業(yè)應用領域  

        存儲器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經結束 ?

        • 據IDC預測,2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數據量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
        • 關鍵字: 存儲器、NAND、DRAM  

        引領存儲新架構 構建數據金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來

        • 近日,以“數智·未來”為主題的2019中國數據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數據智能水平,推動全球存儲與數據產業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講,不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構,構建數據金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
        • 關鍵字: QLC  NAND  內存  

        SK海力士128層4D NAND出樣

        • 近日消息 根據guru3D的報道,隨著NAND閃存技術的創(chuàng)新發(fā)展,固態(tài)硬盤TB內存時代即將到來,SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產品樣品。
        • 關鍵字: SK  4D NAND  128層  

        中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產

        • 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
        • 關鍵字: 3D NAND  
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        nand介紹

        一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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