nand 文章 最新資訊
游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限
- 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查,盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降,但云端服務、遠距教學的需求也同步催生,加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出,當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻,初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變,首次轉進SSD的
- 關鍵字: NAND Flash
集邦咨詢:數據中心需求大增,第一季NAND Flash營收成長8.3%
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產業(yè)營收季成長8.3%,達136億美元。
- 關鍵字: 集邦咨詢 數據中心 NAND Flash
群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND
- 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
- 關鍵字: 群聯(lián) 控制芯片 長江存儲3D NAND
集邦咨詢:受新冠肺炎疫情擴大沖擊,NAND Flash均價可能提前于下半年反轉向下
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產出年成長收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
- 關鍵字: 集邦咨詢 新冠肺炎 NAND Flash
華邦電進軍車用、工業(yè)領域
- 存儲器大廠華邦電近日宣布,開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業(yè)應用領域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
- 關鍵字: 華邦電 NAND Flash 車用與工業(yè)應用領域
存儲器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經結束 ?

- 據IDC預測,2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數據量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
- 關鍵字: 存儲器、NAND、DRAM
引領存儲新架構 構建數據金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來

- 近日,以“數智·未來”為主題的2019中國數據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數據智能水平,推動全球存儲與數據產業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講,不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構,構建數據金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
- 關鍵字: QLC NAND 內存
中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產

- 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
- 關鍵字: 3D NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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