- 美光科技和英特爾今日發布了雙方 NAND 存儲聯合開發計劃的最新動態。這段成功的合作關系已幫助兩家公司開發出行業領先的 NAND 技術并順利推向市場。 此次發布內容包括兩家公司商定將各自獨立開發新世代 3D NAND 技術。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術的開發，該技術將在 2018 年末交付，并持續到 2019 年初。在此技術節點之后，兩家公司將獨
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美光科技 NAND
- 三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產計畫，新產能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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存儲器 NAND
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態大容量存儲的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業界各領域。
圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個讓無數工程師毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
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東芝 NAND
- DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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NAND DRAM
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創見指出，DRAM 市場供貨持續吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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DRAM NAND
- 說到STM32的flash，我們的第一反應是用來裝程序的，實際上，STM32的片內FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數據。 FLASH分類 根據用途，STM32片內的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統存儲器、選項字節。 系統存儲器存儲用于存放在系統存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當使用ISP方
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STM32 flash
- 圍繞著此輪DRAM產業的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監管者的警覺。
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DRAM NAND
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業界解讀，三星、海力士下季漲價態度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM NAND
- 今年全球NAND Flash產業成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯的關鍵技術已經準備好了，呈現蓄勢待發的姿態!
今年的NAND Flash產業受到技術轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產業供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產品的需求被抑制，
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SSD NAND
- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產品事業部副總裁兼總經理。 在此職位上，Dicker 將負責領導和拓展美光的固態存儲業務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報。 Dicker 在半導體行業擁有 20 年的從業經驗，包括在 Intel、
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美光 NAND
- 內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。
旺宏強調，獨立研發的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。
目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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旺宏 NAND
- 被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產廠商通過展示最新的產品和技術來描繪下一代汽車發展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產業界公認的未來的發展方向。 例如，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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NAND LPDDR4
- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- 三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。
IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。
三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態
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三星 NAND
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