- 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
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編程 接口 Flash 擦除
- Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發展起來的一種新型半導體不揮發存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開發中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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NOR Flash 接口 單片機
- 以基于TMS320C32 DSP開發的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性，結合TMS320C3x提出實現DSP系統上電后用戶程序的自動引導的方法。
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DSP Flash TI
- 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
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電源電壓 Flash MCU
- 全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現遠優于整體產業增長率。 Gartner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產業出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價環境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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半導體 NAND
- “物聯網”是指連接到互聯網的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯網的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經系統 ”凱文·阿什頓說(這個術語的發明者)。
在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯網” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
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物聯網 NAND
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者?
韓聯社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產良機。
美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
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東芝 NAND
- 在即將到來的物聯網的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發重要，出現的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
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NAND 長江存儲
- 東芝半導體事業各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業或公司買下。 他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。
潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發東芝財務危機的是核電事業，因此切割半導體事業獨立新公司
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東芝 NAND
- 三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。
新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。
存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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三星 NAND
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 據外媒報道，存儲芯片市場上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發布報告說：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續漲到今年底。
整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。
他指出，建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
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DRAM Flash
- 小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎?
上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎?
其實現實生活也是如此。
前不久,美國
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晶圓 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
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紫光 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
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紫光 NAND
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