新聞中心

        EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設計應用 > FPGA中Flash驅動模塊的設計及驗證

        FPGA中Flash驅動模塊的設計及驗證

        作者:賀建龍 時間:2014-03-31 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          隨著的功能日益強大和完善,在項目中的應用也越來越廣泛,其技術關鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以存儲器件為的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的模塊的設計,其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實際的讀寫操作驗證。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/235594.htm

          器件的基本知識及控制流程

          Flash是一種由大容量浮柵(floating gate)結構的MOS管存儲單元加上讀寫控制電路構成的半導體存儲器,其應用非常廣泛,按組織結構類型分為NOR和NAND類型,其中NAND flash因為容量更大而應用更為廣泛,如固態(tài)硬盤(SSD)就是屬于NAND類型的Flash存儲器,其編程及讀取的單位為page;擦除是為扇區(qū)Sector或整個Bulk擦除。因為flash器件內置了電荷泵單元,所以其供電與傳統(tǒng)的EEPROM需要雙電源供電相比,只需要單電源供電即可。存儲的數(shù)據(jù)由浮柵的電子電荷決定,浮柵上沒有電荷時為“1”,當浮柵上存有電子電荷時為“0”。

        fpga相關文章:fpga是什么


        電荷放大器相關文章:電荷放大器原理


        關鍵詞: Flash 驅動 FPGA

        評論


        相關推薦

        技術專區(qū)

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 托克逊县| 永兴县| 视频| 象山县| 彭阳县| 常宁市| 金坛市| 龙州县| 合水县| 九江市| 老河口市| 曲水县| 彰化县| 准格尔旗| 金平| 高雄市| 财经| 曲水县| 尼木县| 通山县| 富阳市| 石柱| 黄陵县| 平度市| 安溪县| 岐山县| 六安市| 贵南县| 乐安县| 宜兰市| 安福县| 琼结县| 和龙市| 扎囊县| 时尚| 松桃| 离岛区| 达拉特旗| 盱眙县| 吉首市| 文昌市|