nand 閃存文章最新資訊

Spansion推出針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit? Eclipse?閃存解決方案樣片

　　北京,2007年4月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布，開始向其戰(zhàn)略型OEM客戶提供針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit® Eclipse™閃存解決方案樣片。通過將標(biāo)準(zhǔn)NOR閃存所具有的出色隨機(jī)存取性能與MirrorBit Eclipse架構(gòu)所擁有的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的編程能力相結(jié)合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架構(gòu)的MCP產(chǎn)品將為使用中高端手機(jī)平臺(tái)的用戶帶來非同凡響的使用體驗(yàn)。公司計(jì)劃
關(guān)鍵字：閃存 Spansion

恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

　　2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商，專注于存儲(chǔ)器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3

用帶2KB閃存的80C51基微控制器設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器(04-100)

　　工程師可以采用恰當(dāng)組合外設(shè)和閃存的合適8位微控制器來設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器，這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。集成2KB閃存和合適外設(shè)的80C51基微控制器所提供的解決方案并不昂貴。集成的閃存還能簡(jiǎn)便有效地調(diào)試應(yīng)用碼，如果必要的話，還可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)軟件。　　由于設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)廣泛接受并熟悉了80C51，軟件/硬件開發(fā)便可以加快進(jìn)行。這一方法的另一優(yōu)勢(shì)在于，眾多廠商提供了一系列強(qiáng)大而經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用開發(fā)工具。考慮到成本、設(shè)計(jì)效率和安全的電池充電的重要性，基于微控制器的解決方案的諸多優(yōu)勢(shì)便不言而喻。?
關(guān)鍵字：飛利浦 80C51 閃存充電器

NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對(duì)未來市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。　　市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀。” 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
關(guān)鍵字：閃存 NAND

閃存分類和關(guān)鍵參數(shù)必讀

????大約在1984年，在受聘于東芝公司期間，F(xiàn)ujio Masuoka博士發(fā)明了一種獨(dú)特的存儲(chǔ)器件，具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)器件的理想特征。與RAM 和EEPROM一樣，可以對(duì)這些新穎的器件或同類的ROM進(jìn)行寫、擦除和重寫數(shù)據(jù)的操作，器件能將可恢復(fù)的靜態(tài)數(shù)據(jù)保存幾乎無限長(zhǎng)時(shí)間。此外，與RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存儲(chǔ)器的容量容易提高。重要的是，與ROM和EEPROM相比，該芯片能長(zhǎng)時(shí)期存
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ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測(cè)試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí)，著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
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商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題

　　北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)減速，對(duì)英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)造成很大壓力。　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。　　全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計(jì)其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預(yù)期水平。在第
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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NAND閃存價(jià)格下降將推動(dòng)需求增長(zhǎng)

　　2月25日消息,閃存價(jià)格的下降已經(jīng)傷害了一些半導(dǎo)體廠商的股票價(jià)格。但是，今天的痛苦可能會(huì)為明天的增長(zhǎng)鋪平道路。　　NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于便攜式媒體播放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、硬盤和其它設(shè)備中。由于供過于求，2007年NAND閃存芯片的價(jià)格比2006年下降了60%。　　但是，由于消費(fèi)者喜歡數(shù)字音樂、圖片和視頻以及相關(guān)的便攜式設(shè)備，NAND閃存芯片的需求也快速增長(zhǎng)，2007年的需求量增長(zhǎng)了大約170%。通過在一個(gè)更小的芯片中放入更多的閃存等生產(chǎn)方面的技術(shù)進(jìn)步，閃存廠商能夠把成本降低40%至50%。　
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三星位居龍頭閃存芯片廠商營(yíng)收排行

　　受到4Q07 NAND Flash價(jià)格劇跌的影響，品牌NAND Flash廠商3Q07整體營(yíng)收表現(xiàn)微幅下跌成為US.8bn，比3Q07營(yíng)收QoQ小幅減少了2.7%，由于3Q07末次級(jí)房貸所引發(fā)的金融市場(chǎng)風(fēng)暴延燒到4Q07，造成傳統(tǒng)歐美年終采購(gòu)?fù)拘枨蟛蝗珙A(yù)期，再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運(yùn)轉(zhuǎn)更順暢，使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長(zhǎng)約45%，因此也造成NAND Flash市場(chǎng)由3Q07的供貨吃緊轉(zhuǎn)為4Q07的小幅供過于求，
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東芝與SanDisk投資7000億日元建閃存基地

　　東芝日前聯(lián)合其美國(guó)半導(dǎo)體合作伙伴SanDisk宣稱，未來兩家公司計(jì)劃投資7000億日元在日本北部新建一處NAND閃存芯片基地。　　兩家公司表示，新基地的選址極有可能定在日本北部北上巖手縣。但日本電子巨頭東芝表示新工廠的選址還未作最后確定。　　半導(dǎo)體芯片在整個(gè)業(yè)務(wù)當(dāng)中占支柱地位的東芝公司目前有4個(gè)芯片制造基地，而且全部都在四日地區(qū)的三重縣。　　另有消息稱，北九州地區(qū)的福岡縣已向東芝公司發(fā)出邀請(qǐng)，希望東芝公司能將其第五個(gè)芯片制造工廠建在本地區(qū)。同時(shí)有人建議稱，東芝公司即將建立的第五個(gè)芯片基地最
關(guān)鍵字：東芝 SanDisk 閃存

分析師稱NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰

　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購(gòu)。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購(gòu)的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價(jià)格的下降。　　這位分析師稱，雖然自從2
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Spansion 榮獲UT斯達(dá)康2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)

　　純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion宣布，公司獲得由UT斯達(dá)康(中國(guó))有限公司頒發(fā)的2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)。Spansion是唯一獲此榮譽(yù)的NOR閃存供應(yīng)商。　　作為對(duì)供應(yīng)商最高形式的認(rèn)可，戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)是UT斯達(dá)康對(duì)Spansion一貫致力于提供先進(jìn)的閃存解決方案以及對(duì)UT斯達(dá)康這一從事基于IP、端到端網(wǎng)絡(luò)和通信解決方案技術(shù)和產(chǎn)品生產(chǎn)、整合及支持的國(guó)際化領(lǐng)導(dǎo)廠商的客戶支持的一項(xiàng)重要肯定。　　UT斯達(dá)康全球供應(yīng)鏈高級(jí)副總裁Jimmy Khoo表示：“作為我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商，Spans
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