- 新華網華盛頓6月3日電 據提前出版的最新一期美國《商業周刊》撰文說，固態硬盤SSD以及目前已廣泛使用的USB盤都采用了相似的閃存記憶技術。預計今年秋季，使用閃存與傳統磁盤存儲相結合的混合式存儲系統的電腦將大量上市。 文章指出，對個人電腦用戶來說，使用閃存可靠性高、能耗低，尤其啟動時運行速度較快，還能擴大手機和音樂播放器等的存儲容量。但由于芯片成本和重寫次數的限制，閃存一直未能用于大規模存儲。 如今，制造商已開發出新技術，確保閃存中信息在芯片上的位置不會經常變化，從而減少了
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- 韓國三星電子公司日前發布了一款針對3G手機設備的大容量閃存芯片產品，其內部實際封裝了多顆閃存芯片，手機上的外部存儲卡插槽可能從此成為歷史。 據三星稱，這個嵌入式4GB多芯片系統被叫做moviMCP，它在一個單元上集成了多個存儲功能，消除了對外部擴展槽的需求，因而可以為高度壓縮的手機節省更多空間。這個封裝包含了16Gb NAND閃存和一個控制器，一個為處理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一個支持手機整體運行的2Gb NAND芯片。 為不同類型的NAND
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- 5月31日消息，美國當地時間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結成合作伙伴關系，開發面向PC的標準NAND閃存接口。 據techspot網站報道稱，名為“非揮發性內存主機控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的，旨在利用閃存加速現代操作系統中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。 該組織希望能夠加速其標準的普及，從而使其優勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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- 傳言可能退出NOR閃存市場的英特爾選擇了另一條道路。日前，它與意法半導體宣布，將組建一個新的合資公司，以共同經營閃存業務。 之前，業內一直猜測，在退出通訊處理器市場后，英特爾將會退出NOR閃存市場，以應對來自PC芯片對手的沖擊。 新的合資公司的工廠將設立在瑞士與荷蘭，大約雇用8000名員工，主要生產制造NOR和NAND類型的閃存芯片產品。合資公司中，意法半導體擁有48.6%的較多股份，英特爾持有45.1%，另外一家美國企業擁有剩余股份。 這也是英特爾繼對手AMD之后的行動。2003年，AMD與日本富士通整
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- 5月23日 據國外媒體報道，意法半導體及英特爾昨天發表聲明，計劃將各自虧損的閃存部門合并成一家新公司，這家新公司將成為全球最大的閃存制造公司。 該份聲明指出，意法半導體將持有新公司48.6%的股權并獲得新公司給予的4.68億美元；英特爾將持有45.1%股權，得到4.32億美元。一向以收購科技公司為目標的公司FranciscoPartners將對這家新公司投資1.5億美元，并持有6.3%股權。合并后的公司年收入將達36億美元。 據報道，意法半導體CEO Bozotti
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- 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術研討會（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應用工程師（D
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- 2007年5月22日，英特爾、意法半導體和FranciscoPartners宣布共同組建一家獨立的閃存公司。
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- NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處，因
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- 相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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- 為了實現產品多樣化，臺灣晶圓廠聯華電子（UMC，簡稱聯電）有意利用自己的65納米和45納米技術進軍CPU和NAND閃存產品的生產領域。聯電稱他們正在洽談一宗CPU生產協議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹慎。 聯電首席執行官胡國強稱聯電“難以忽視”發展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內存）市場。胡國強不愿透露具體細節，但暗示聯電不會在目前激烈混戰的閃存產品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強
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- 今年第一季度NAND閃存出現了產能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率 為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。 對于出現這種局面的原因，公司主席兼首席執行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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- 據Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現貨市場的價格走勢。面向2007年下半年PC銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產工藝轉移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現貨市場的價格環境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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- 4月30日，據外電報道，速度更快、更安靜的筆記本電腦已經問世，閃存取代了硬盤的位置，但其容量有限及價格昂貴，意味著這種新科技還無法普及到大眾市場。 “價格差異仍大。”全球最大筆記型電腦代工廠商--臺灣的廣達電腦總經理王震華表示，“我不認為未來3年閃存電腦將成主流。”此外，儲存容量是另一個問題。128GB是目前閃存的最大容量，使其難以與臺式PC的硬盤競爭。 不過，有分析師認為，普及的日子應該不遠了。閃存目前以每年五成的速度下跌，分析師預測到2010年，約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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- 據國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業IM Flash科技公司已經開發出處于行業領先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發出了行業中領先水
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- 東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯合宣布，該公司已經推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產品，這一系列產品遵從了 eMMC 標準并且容量達到該行業之最。這種容量為 16GB 的新設備旨在應用于手機和攝像機等移動消費產品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規模生產。
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