- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。
關鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F
引 言
大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
- 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。 根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現貨市場價格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
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- 據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內。 東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預計在2007年12月開始大規模生產，并在2008年下半年把月產能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內，Fab 4項目的投資額預計達3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，Fab 4的月產能有望提高到21萬片。Fab
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- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內。 東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預計在2007年12月開始大規模生產，并在2008年下半年把月產能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內，Fab 4項目的投資額預計達3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，Fab 4的月產能有望提高到21萬片。Fab 4在開始階段將采用56納
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- iSuppli分析指出，在2011年，配置閃存的PMP的出貨量將從2006年的590萬臺增長到1.502億臺，增長25.5倍。配置閃存的PMP2007年的出貨量將達到5480萬臺，幾乎是2006年的9倍。PMP是指能夠播放視頻并且配置合適的彩色顯示屏的MP3播放機。同時，配置硬盤的PMP的出貨量將以更溫和的速度增長。2011年配置硬盤的PMP的出貨量將從2007年的2930萬臺增長到3530萬臺。NAND閃存成本已經下降到MP3音樂播放機廠商能夠增加足夠的容量支持視頻內容的程度。視頻比音頻需要更多的存儲容
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- 瑞薩科技公司宣布，作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個家族30款新產品已經實現了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應用包括電源控制和電機控制，采用32引腳封裝，而R8C/2H和R8C/2J采用20引腳封裝。樣品將于2007年8月28日開始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部帶有片上閃存，并結合了高性能與易用性。增加的30款新產品將R8C/Tiny系列中的產品總數增加到268個。通過增加適用于如電源控制和電機控制
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- 1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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- 英特爾和意法半導體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 這筆交易將有助于合并后的公司實現規模化運營，解決閃存產品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業務。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。 根據交易條款，意法半導體將向新成立的公司出售其閃存資產，英特爾將出售其NOR閃存資產及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業45.1%的股權及4.32億美元現金，意法半導
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- 致力于簡化系統級存儲驗證和測試的業界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發平臺上測試多種存
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- 美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產工藝將向65nm過渡。計劃2008年上半年面向客戶供應樣品。該公司的閃存主要面向手機及數字家電等產品。該公司表示，生產工藝向65nm過渡將有利于提高性價比。 英特爾的閃存產品包括低成本產品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產品“串行閃存”等。
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- 2006年Spansion取代英特爾成為最大NOR閃存供應商 市場調研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR閃存供應商的初步排名。 2006年全球NOR閃存供應商排名 “盡管2006年NOR市場擴張，但這年供應商的日子并不好過。”iSuppli的資深分析師Mark DeVoss表示。“雖然2006年不象2005年那樣糟糕，但市場形勢仍然嚴峻。2005年總體NOR銷售額下降了15.5%，市場形勢依然嚴峻，所有
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- 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。 業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響，NAND閃存的價格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露
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- NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發生大規模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄。現階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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