- 意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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MOSFET ST 意法半導體 晶體管
- 不同應用對功率半導體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導體器件的生產工藝提出了種種新的挑戰。
天津中環半導體股份有限公司技術部部長饒祖剛表示，性能不同的功率半導體器件滿足了差異化應用的需求，而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰。
功率器件要滿足差異化應用需求
功率半導體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點外，不同的應用還提出了一些新需求。例如，在電動車、混合動力汽車這樣的應用中，功率半導體器件需要
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功率半導體器件 低功耗 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4447，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內對上端和下端 MOSFET 柵極進行軌至軌驅動，并可從一個高達 38V 的電
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業界最小占位面積以及 1.2 V 時業界最低的導通電阻。
隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望，
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Vishay MOSFET 芯片 手機 PDA 數碼相機 MP3 智能電話
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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Linear MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器 LT3755，該器件為驅動大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用，如汽車、工業和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標稱 12V 的輸入驅動多達 14 個 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
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凌力爾特 轉換器 高壓側電流檢測 LED MOSFET
- Maxim推出內置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅動器MAX17061。器件采用內部開關型電流模式升壓控制器驅動LED陣列，最多可驅動8串并聯的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅動，各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置，進一步增加
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Maxim MOSFET WLED 驅動器
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展成為蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發展壯大。
今天的汽車電子系統已開創了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
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汽車電子 MOSFET 溝道型 功率 解決方案
- 對于主板設計師來說，要設計處理器電壓調節模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續追隨摩爾(Moore)定律。
在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
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- 2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現業界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設備發射器的功率放大器。
這兩種產品可以放大轉換為高頻的音頻信號，以發射規定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。
這兩種產品具有以下特點。
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瑞薩科技 MOSFET 無線設備 發射器 功率放大器
- 環境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰！”如何應對這項挑戰？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (
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- Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現更高的效率、更少的發熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設計。
ZXGD3101?有“零點檢測器驅動器”之稱，能準確檢測達到零點
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