卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

　　卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開(kāi)啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。

　　該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向?qū)〞r(shí)具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求，同時(shí)具有極低的功率耗散，提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。

　　這兩款產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電線路部分，主要適用于基于MTK平臺(tái)、ADI平臺(tái)、Spreadtrum平臺(tái)以及部分TI平臺(tái)和Infineon平臺(tái)的方案中。其基本電路如圖所示： 

　　電源管理器件通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制充電電流，肖特基二極管可防止電流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm)，RCRH0003FB采用DFN2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm)，相比同類產(chǎn)品，具有以下優(yōu)勢(shì)：

　　·采用了更薄的封裝，適用于超薄機(jī)型設(shè)計(jì)；

　　·在器件腹部增加了散熱片，大幅提升器件額定功耗和散熱能力，防止PCB熱損傷，提升整機(jī)安全性。