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        Linear推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動器

        作者: 時間:2008-06-12 來源:電子產品世界 收藏

          凌力爾特公司 ( Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) LTC4446,用來驅動雙晶體管正激式中的高端和低端 N 溝道功率 。這個與功率 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式,或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/84095.htm

          這個強大的以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流,而以 0.55Ω 下拉阻抗驅動同步 MOSFET 時可提供 3A 的電流,從而非常適用于驅動高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4446 還可以為較大電流應用驅動多個并聯 MOSFET。當驅動一個 1000pF 負載時,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關損耗。

          LTC4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114V 時還可以工作。另外,該器件在 7.2V 至 13.5V 的電壓范圍內同時驅動高端和低端 MOSFET 柵極。LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐熱增強型 MSOP-8 封裝,以 1000 片為單位批量購買,每片價格為 1.69 美元。

          性能概要:LTC4446
           •高端/低端 N 溝道 MOSFET 驅動器
           •最高電源電壓為 100V
           •非常適用于雙晶體管正激式
           •高壓開關應用
           •大驅動電流:在下拉阻抗為 0.55Ω 時提供 3A 電流
           •7.2V 至 13.5V 的柵極驅動電壓
           •高端柵極:驅動 1000pF 負載時上升時間為 8ns,下降時間為 5ns
           •低端柵極:驅動 1000pF 負載時上升時間為 6ns,下降時間為 3ns
           •為柵極驅動電壓提供欠壓閉鎖
           •耐熱增強型 MSOP-8 封裝

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