- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET,這兩款產品經專門設計,可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業界領先的系統效率和優化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術,這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐;FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
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MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
- 摘 要:本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產線,設計了產品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點,并提出了解決方案。關鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結構;制造工藝
引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
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LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術 功率 模擬技術 器件結構 制造工藝
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LDO IC MOSFET
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(兩者均為SOT23封裝)。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關功能,可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅動。其超低柵極驅動意味著可
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MOSFET Zetex 超低柵極驅動 電源技術 模擬技術
- 能夠驅動工業應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領先業界的功率產品系列相輔相成, 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領先業界的功率產品系列又添新成員,宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動器系列的全新產品,能夠在工業應用中驅動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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MOSFET 單片機 飛兆半導體 光隔離 嵌入式系統 柵極驅動器
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MOSFET
- 傳統上,開關電源(SMPS)是用一個基本的模擬控制環路來實現的,但數字信號控制器(DSC)技術的最新發展使得采用全數字...
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反饋 MOSFET 驅動
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IGBT MOSFET 汽車
- 英飛凌推出新一代MOSFET節能器件,助力電源制造商實現能效目標 英飛凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)日前發布應用于計算機、電信設備和消費電子產品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%,并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉換指標上達到業界領先水平。 許多電源產品,如用于服務器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產
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MOSFET
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高,并有高達4.2V的單節電池電壓,因此在手機、PDA和數碼相機等便攜式電子產品中獲得了廣泛的應用。為了確保使用的安全性,鋰電池在應用中必須有相應的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節鋰電池保護電路的設計中被廣泛采用。
然而,目前無論是正向(獨立開發)還是反向(模仿開發)設計的國產鋰電池保護IC由于技術、工藝的原因,實際參數通常都與標準參數有較大差別,在正向設計的IC中尤為突出,因此,測試鋰電池保護IC的實
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MOSFET 電源技術 鋰電池 模擬技術 消費電子 消費電子
- 1 引言
TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內置MOSFET的高效DC/DC變換器.采用小型16引腳HISSOP封裝.連續輸出電流為3 A時,輸入電壓范圍為4.5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計,使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數字信號處理器(DSP)、現場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC/DC變換器的效率高達90%以上,非常適用于低功耗工業與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
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- Vishay推出一款網上工具,可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™(可從 http://www.vishay.
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- 意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出了新系列功率MOSFET產品的第一款產品。 通態電阻極低,動態特性和雪崩特性非常優異,新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰器件優化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰半導體器件技術極限的實例,該產品采用ST自主開發的第二代 MDmeshTM 技術,最大通態電阻 RDS&nb
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