熱泵是一種經過驗證的、提供安全且可持續供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術。盡管逆循環熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產生的碳排放的主要途徑。此
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熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
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STGAP MOSFET IGBT 驅動器 電氣隔離
晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經典的NPN晶體
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晶體管 BJT MOSFET
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發者提高開關頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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碳化硅 SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌 OptiMOS MOSFET
英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產
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英飛凌 OptiMOS 6200V MOSFET
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關UIS (UIL)數據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數功率MOSFET數據表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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安森美 MOSFET UIS
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 對稱雙通道
英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線性系統操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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MOSFET 共源放大器
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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MOSFET 雪崩 電流
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
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