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基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案
- 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領域，但其實，有一個已經真正落地，大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據(jù)市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續(xù)增長；當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
- 關鍵字： Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁掛爐熱風機
簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計
- 電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
- 關鍵字： MOSFET
羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
一文讀懂功率半導體
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
- 關鍵字： 功率半導體 MOSFET IGBT
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
基于安森美半導體 NCP1632 Interleave PFC應用于的 1KW 馬達驅動器解決方案
- 馬達驅動系統(tǒng)是工業(yè)環(huán)境中自動化系統(tǒng)的關鍵組成部分，因為它們在電力消耗中占很大比例。這種驅動系統(tǒng)在實現(xiàn)節(jié)能方面具有核心作用。隨著自動化的發(fā)展速度，馬達驅動是未來工業(yè)設施的中堅力量。因應市場的增長及要求，安森美半導體關注于提高馬達驅動系統(tǒng)的效率，同時為更高的電流、更精確的控制和更好的系統(tǒng)可靠性進行設計。安森美半導體完整的馬達驅動解決方案，通過領先業(yè)界的 MOSFET、IGBT、柵極驅動器和電源模組解決了這一挑戰(zhàn)。而此方案，支援各種低電壓電機，包括有刷、無刷和步進馬達，并提供可隔離及高性能運算放大器，保證用電安
- 關鍵字： 安森美 NCP1632 Motor Driver onsemi
通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
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