- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來,硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體,它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
- 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優點,更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點,介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景,并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后,本文根
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TI MOSFET OBC
- 相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平,但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越,能夠實現快速開關的單極組件,可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比,這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進一步優化了
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儒卓力 MOSFET
- 近年來,工業應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD),再到最新的無引腳封裝,以及內部硅技術的顯著改進,MOSFET 解決方案正在不斷發展,以更好地滿足工業市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關鍵特性,主要優勢和應用目標應用市場英飛凌公司的 TOLT(JEDEC:HDSOP-16),封裝OptiMOS? 5 功率
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Arrow MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來,隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發展,設備內部所需的電量也呈增長趨勢,電池尺寸的增加,導致元器件的安裝空間越來越少。另外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效地利用有限的電池電量,就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求,開發易于小型化而且特性優異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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ROHM MOSFET
- 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓,以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設計工程師在選擇功率開關器件時
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富昌電子 MOSFET
- 馬達驅動系統是工業環境中自動化系統的關鍵組成部分,因為它們在電力消耗中占很大比例。這種驅動系統在實現節能方面具有核心作用。隨著自動化的發展速度,馬達驅動是未來工業設施的中堅力量。因應市場的增長及要求,安森美半導體關注于提高馬達驅動系統的效率,同時為更高的電流、更精確的控制和更好的系統可靠性進行設計。安森美半導體完整的馬達驅動解決方案,通過領先業界的 MOSFET、IGBT、柵極驅動器和電源模組解決了這一挑戰。而此方案,支援各種低電壓電機,包括有刷、無刷和步進馬達,并提供可隔離及高性能運算放大器,保證用電安
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安森美 NCP1632 Motor Driver onsemi
- 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
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SiC MOSFET 功率轉換
- 現階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環和晶胞設計,研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環和晶胞設
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RS瑞森半導體 MOSFET
- 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域,推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率,高
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單芯片 驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
- 近日,安森美公布了2022年第三季度業績,其三季度業績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數據顯示,其三大業務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執行了一系列的戰略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統的I
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安森美 SiC MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合,推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合,非常適合用于12V熱插拔應用,包括數據中心服務器和通信設備。 多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來,增強器件中關鍵MOSFET的性能,滿足特定應用的要求,以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
- 隨著馬達(電動機)發展日新月異, 相對也提升家庭應用需求, 現階段家用抽油煙機要求聲音越變越小, 也要求變頻省電, 更隨著環保意識抬頭, 抽油煙機的抽風效率更顯重要!排油煙機是煮飯時最重要的工具,如果沒有的話,你再煎魚或是炒菜的時候,會導致全廚房都是油煙味,如果沒有防治好的話,還會飄到客廳房間,除了油煙味很重外,對身體也不好!經過研究顯示這些油煙含有多種致癌物,因此為了自己的健康著想,一臺好的排油煙機可以給一個好的煮飯環境, 可以替你帶走大量廚房油煙, 可以避免吸入致癌物, 同時又能降低噪音讓廚房靜悄悄,
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Toshiba TB9062 Motor Driver Pre-Driver
- 2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創新的頂部冷卻,幫助設計人員解決具挑戰的汽車應用,特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發到散熱器上,而不是通過傳統的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發熱,從而提高功率密度
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安森美 Top Cool封裝 MOSFET
- 在各種電源應用領域,例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛,已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域,例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛,已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
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Digi-Key MOSFET
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