英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶(hù)提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性，樹(shù)立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

與上一代OptiMOS? 3相比，OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品組合具有更加強(qiáng)大的技術(shù)特性，其R_DS(on)降低了42%，有助于減少傳導(dǎo)損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面，OptiMOS? 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS? 3的三倍多，且 Q_rr(typ)降低了 89%，使開(kāi)關(guān)和 EMI 性能均得到明顯改善。該技術(shù)還提升了寄生電容線(xiàn)性度（C_oss和C_rss），減少了開(kāi)關(guān)期間的振蕩并降低了電壓過(guò)沖。更緊密的 V_GS(th)分布和低跨導(dǎo)特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享，使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量。

無(wú)鉛OptiMOS? 6 TO

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)中的MSL 1等級(jí)。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛，滿(mǎn)足當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

供貨情況

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品提供多種封裝，包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，適用于各種應(yīng)用。所有型號(hào)目前均可訂購(gòu)。