- 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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MOSFET 功放
- Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
- 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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二維數值 模擬 能力 SEB MOSFET 功率
- 智能MOSFET提高醫療設計的可靠性同時提升性能,所有的醫療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術進步。由于各醫療設備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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MOSFET 醫療設計 可靠性 性能
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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羅姆 電阻 MOSFET
- 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)系列產品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關和與AC適配器進行電源轉換的電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
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瑞薩電子 MOSFET μPA2812T1L
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求
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飛兆 MOSFET
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 120 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
- 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變為電壓驅動，加快了這些產品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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考量 設計 MOSFET 功率
- 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅動高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅動線路設計的注意事項。
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MOSFET 電容
- 1. 引言 散熱器在計算時會出現誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數參差不 ...
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熱模型 MOSFET PSPICE
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