飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench  MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求。

　　FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。

　　特性和優勢

　　FDMA905P:

• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm
• 確保低R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 16m? at V_GS = -4.5V, I_D = -10A)
• 具有出色的散熱性能(R_ΘJA = 52 ℃/W)

　　FDME905PT:

• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm
• 確保低 R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 22m? at V_GS = -4.5V, I_D = -8A)
• 具有出色的散熱性能(R_ΘJA = 60 ℃/W)

　　FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。