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	mosfet-90n10
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        mosfet-90n10 文章
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        中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 最近，由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  二極管  MOSFET                          
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         Diodes公司推出微型車用 MOSFET，可提供更高的功率密度
        
                                                            
          
                    	
        • Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  汽車                          
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        針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
        
                                                            
          
                    	
        • 中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關無源元件，即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲，包括原邊或副
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        • 關鍵字：
                        電源  意法半導體  擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器                          
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        SiC將達23億美元規(guī)模，技術精進是主攻方向
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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        • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET                          
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        華為強力掃貨　手機、服務器用MOSFET急單聲聲催
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 中美貿易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外，瘋狂掃貨力道已經蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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        • 關鍵字：
                        華為  MOSFET  中美貿易戰(zhàn)                          
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        現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制  
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。　　關鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動器；耐受性；隔離? ? &nb
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        • 關鍵字：
                        201905  IGBT  MOSFET   柵極驅動器  耐受性  隔離                          
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        工程師必須掌握的MOS管驅動設計細節(jié)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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        • 關鍵字：
                        MOS  MOSFET                          
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        SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC 
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC 
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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        • 關鍵字：
                        ROHM  SiC  MOSFET                          
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        安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) 
MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。　　這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 
生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅動器等互補器件，以及
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        • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET                          
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        600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產品助力變頻空調節(jié)能
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 
MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動以及EV充電樁。近日，該系列產品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型。　　此次開發(fā)的新系列產品與以往產品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術，實現(xiàn)了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
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        • 關鍵字：
                        ROHM  MOSFET                           
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        Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 
為領先業(yè)界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商，產品涵蓋廣泛領域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 
功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 
晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供更高的功率密度設計。　
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        • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET                           
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        Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術亮相APEC 2019
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 
股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx 
microBR
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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        滿足新能源汽車應用的SiC MOSFET系列產品
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產業(yè)源頭到末端的全鏈貫通。　　主要應用　　w高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網 w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
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        • 關鍵字：
                        新能源汽車  MOSFET                          
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        碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
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        • 關鍵字：
                        碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型                          
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        Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K 
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) 
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源。　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8 

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        • 關鍵字：
                        Power Integrations  SiC-MOSFET                          
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