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        Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

        作者: 時間:2019-03-12 來源:電子產品世界 收藏

           公司 (Nasdaq:DIOD) 為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管,采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm),可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小,可在閘極驅動功率 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開關電路,提供更高的功率密度設計。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201903/398414.htm

          DXTN07xxxxFG (NPN) 與 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工業級消費性市場為目標,范圍涵蓋 25V 至 100V VCEO;同時具備 2W 總功率消耗及最高 +175°C 額定作業溫度。新款晶體管外殼采用小型 PowerDI?3333 表面黏著封裝,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm,占用 PCB 的空間比傳統 SOT223 少 70%,以散熱效率更高的封裝提供類似的功率消耗。

          PowerDI3333 封裝具有可潤濕側翼 (wettable flank),可提高 PCB 傳輸速率,促進焊接點的高速自動光學檢查 (AOI),因此無需使用 X 光檢查。

          全系列 DXTN07xxxxFG 與 DXTP07xxxxFG 裝置將于 2019 年第 1 季底通過汽車認證后,開始供應樣品。



        關鍵詞: Diodes MOSFET

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