首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
        




        
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	mosfet-90n10
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        mosfet-90n10 文章
                  最新資訊  
                  
        
                
        
                                
        
                  

                                
        
                    
        貿澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics 
(ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh 
M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信和服務器電源以及太陽能 
微型逆變器等設備的功率密度。　　貿澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        貿澤  STMicroelectronics  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器，提高逆變器級工作效率
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A 
IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors 
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。　　日前發布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs 
LED，為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業內最佳水平
        
                                                            
          
                    	
        • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V 
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 
%，為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內最低水平，該參數是600 V 
MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)。　　Vishay
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        穩健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 
這些機電系統
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Vishay業界領先車規產品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 
股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive 
World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think 
Vishay”為主題展示各種車規產品，包括符合并優于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品。　　Vishay亞
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Vishay  轉換器  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。　　針對軟開關技術優化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 
nC的柵極電荷量(Qg)可實現高開關頻率，這兩個優點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現。　　此外，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　隨著汽車中電子系統數量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化 
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOSFET，LT8650S                           
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        Littelfuse  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環節的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶穩定投片進行量產，在線生產良率連續兩月高于99.5%。　　同時為了協助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        宜特  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究
        
                                                            
          
                    	
        • 1 引言
          MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節電流，因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因，并聯應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題，關于此問題，
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOSFET  并聯  電流  分配                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        應用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導體，另一個更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開電路圖如圖1所示。　　電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOSFET，混合動力                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        開關電源設計：何時使用BJT而非MOSFET？
        
                                                            
          
                    	
        • MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        開關電源  BJT  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        教你看懂MOSFET數據表
        
                                                            
          
                    	
        • 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOSFET  數據  電感器  連續電流                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共1291條
	28/87		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																																																																																																																	26																27																28																29																30																31																32																33																34																35																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																			»
			›|
		
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
        
  		
        
    		
        
      			
        
          			
        mosfet-90n10介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創建詞條mosfet-90n10!
         
		      	歡迎您創建該詞條，闡述對mosfet-90n10的理解，并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。    創建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
       	          						MOSFET-90N10   
										樹莓派   
					linux   
      			
        
    		
        
  		
        
		
        
	
        
	
        

        

        
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
        
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
        
    	
        
  	



        




        






主站蜘蛛池模板：
甘南县|
青州市|
义乌市|
辽宁省|
汝南县|
交口县|
湖北省|
繁昌县|
五华县|
师宗县|
札达县|
河北区|
四平市|
海安县|
湖州市|
蓬莱市|
含山县|
凌海市|
邢台县|
达拉特旗|
定陶县|
石台县|
杭州市|
竹北市|
宜兰市|
武陟县|
白城市|
东方市|
昌邑市|
泰州市|
南投市|
成武县|
黔西|
禹城市|
勃利县|
潜江市|
金塔县|
阳原县|
凌源市|
逊克县|
洪泽县|