mobile dram 文章 最新資訊
受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％
- 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日?qǐng)?bào)道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國(guó)對(duì)華為的制裁所致，這加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據(jù)市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì)，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對(duì)比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲(chǔ)卡和用于 USB 的多層單元存儲(chǔ)（MLC）
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
完全漲不動(dòng)：內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底
- 根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。簡(jiǎn)單回顧下，內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動(dòng)了PC等設(shè)備的需求增長(zhǎng)，內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈，但持續(xù)的時(shí)間并不長(zhǎng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？
- 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個(gè)多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊(cè)資本51.091億元人民幣。經(jīng)營(yíng)范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、計(jì)算機(jī)、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲(chǔ)器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗(yàn)鑒定、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、民用核安全設(shè)備無損檢驗(yàn)、
- 關(guān)鍵字： 格芯成都 DRAM
HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案
- 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長(zhǎng)了30萬倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計(jì)算機(jī)硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長(zhǎng)了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
- 關(guān)鍵字： ADAS ML DRAM 內(nèi)存
三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)
- 實(shí)現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計(jì)生產(chǎn)新一代VNAND與超精細(xì)制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車電裝市場(chǎng) 韓國(guó)首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達(dá)12.89萬平方米（
- 關(guān)鍵字： EUV10 納米級(jí) LPDDR5 DRAM
三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號(hào)線占地超過128900平方米，相當(dāng)于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5 DRAM
第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案
- 日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
- 關(guān)鍵字： ADAS NOR DRAM AI V2X EM
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長(zhǎng)鑫與3家公司合作
- 6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國(guó)產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導(dǎo)，門檻太高。合肥長(zhǎng)鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級(jí)別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
- 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn) DRAM 內(nèi)存 合肥長(zhǎng)鑫
南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級(jí)產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲(chǔ)器大廠南亞科28日召開年度股東常會(huì)，會(huì)中董事長(zhǎng)吳嘉昭對(duì)于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(zhǎng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會(huì)議等各項(xiàng)需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因?yàn)楦黜?xiàng)不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 10nm 南亞科 DRAM
三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過40% 但銷售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷售額下滑1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
美國(guó)第三大無線運(yùn)營(yíng)商T-Mobile正式完成265億美元并購Sprint交易
- 據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，美國(guó)第三大無線運(yùn)營(yíng)商T-Mobile終于正式完成了對(duì)第四大運(yùn)營(yíng)商Sprint的265億美元并購交易。通過此舉，T-Mobile將致力于構(gòu)建最好的5G網(wǎng)絡(luò)。通過與Sprint合并，T-Mobile獲得了中頻頻譜，這是運(yùn)營(yíng)商夢(mèng)寐以求的無線波段，因?yàn)樗鼈兡軌蛟谑覂?nèi)工作的同時(shí)提高速度，這是廣泛部署的低頻段和毫米波5G網(wǎng)絡(luò)無法做到的。T-Mobile和Sprint的客戶多年來始終忍受著聲譽(yù)不佳的網(wǎng)絡(luò)，但他們可能很快就會(huì)發(fā)現(xiàn)這種情況發(fā)生了逆轉(zhuǎn)。美國(guó)最大無線運(yùn)營(yíng)商AT&T和T-Mobi
- 關(guān)鍵字： T-Mobile Sprint
mobile dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
mobile dram相關(guān)帖子
mobile dram資料下載
mobile dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473