- 分析師指出，資本支出創下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 據外電報道，曉星集團表示了收購海力士半導體的意向。
海力士股份管理協商會主管機構的外換銀行表示，在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天，只有一家企業提交了意向書。據了解，這家企業是曉星集團。
外換銀行本月7日向43家企業發出了出售通知。該43家企業包括：公平交易委員會指定的企業集團當中，去年資產總額達到5萬億韓元以上的29家企業;在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業集團中，資產總額達2萬億韓元以上的14家企業。
當初估計，國內至少會有4、5家企業會對收購海力士有興
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海力士 DRAM 存儲芯片
- 據報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應短缺現狀。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預計，導致了DDR3供應短缺。不過三星目前已經加大了DDR3芯片生產量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產的主要處理技術。
Oh-Hyun Kwon認為，提高產量的方法并不只是多建幾家工廠，技術升級將是三星以后提高芯片產量的主要途徑。
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三星 40nm DRAM DDR3
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關，不過這次他們則和金士頓合作開發出了一種可用于增大DDR3內存帶寬的技術“線程式內存條技術”(Threaded memory module)。這種技術基于現有的DDR3技術，不過將內存條上的內存芯片進行了分塊處理，位于各個分塊內部的芯片共享一個命令/地址端口，不過數據傳 輸部分則可通過各自獨立的傳輸通道進行傳輸，傳輸的位寬可達64字節(512bit)，這樣就可以將傳統DDR3內存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術
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Rambus DRAM DDR3
- 據國外媒體報道，三星電子芯片部門總裁權五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預期，因此三星電子正在提高芯片產量以滿足市場需求。
權五鉉將需求提升歸功于企業重建庫存以及政府的經濟刺激政策。
在臺北的新聞發布會上，權五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關于手機行業的論壇。
他表示，三星正在提高DDR3芯片的產量，預計將有助于結束市場供給短缺的現象。
權五鉉表示，此前由于制造商產能過度擴張，DRAM(動態隨機存取
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三星 DRAM DDR3 液晶面板 記憶體芯片
- DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現金正流入的狀態，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產部分也開始有現金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業來看，已進入現金正流入狀態，下一步臺系DRAM業者的目標是轉虧為盈。
4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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力晶 DRAM DDR2
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態存儲器。
IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。
IBM希望將3
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IBM 32nm DRAM 動態存儲器
- 據國外媒體報道，投資銀行摩根士丹利在周一表示，在經歷了三年的衰退之后，計算機存儲芯片市場已開始復蘇，預計此次復蘇將會持續兩年的時間。
摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報告中指出，DRAM芯片銷售在2010年將會達到224億美元，較今年的184億美元增長21%。在摩根士丹利分析師上調了三星電子、海力士和三家臺灣芯片制造商的股價預期之后，韓國和臺灣芯片股周一普遍出現上漲。
瑞薩科技在周一表示，該公司計劃在下月上調芯片售價。瑞薩科技此舉表示，芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
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海力士 DRAM 存儲芯片
- 華爾街日報報道，臺灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱，公司將與臺灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發和生產方面進行合作。
曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱，茂德科技計劃于10月份取消無薪假期，部分原因是與臺灣記憶體的合作需要公司逐步恢復產能。此前受芯片供應過剩影響，茂德科技已連續9個季度虧損。
受芯片行業持續低迷影響，自去年11月份以來，茂德科技的雇員每月都
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TMC DRAM
- 9月18日消息 據華爾街日報導報，南亞科技發言人白培霖周五稱，因個人電腦銷售旺盛，繼續帶動DRAM芯片需求，公司將把9月下半月的動態隨機存儲(DRAM)芯片價格較上半月上調10%。
白培霖表示，公司幾乎已經達成了下半月的所有交易，由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個人電腦制造商進行兩次DRAM芯片價格談判。
白培霖還稱，南亞科技9月上半月將DRAM芯片價格較8月末上調了15%，公司目前的芯片平均售價約為2美元，高于其現金成本。
但白培霖稱，南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
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南亞科技 DRAM
- 2009年面臨DDR2和DDR3規格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現貨價，屆時1Gb DDR2現貨價格將看到2美元。
近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產品的業績數據也十分健康，這說明產業已調頭撞向V形反彈的上升階段。
從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。
爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業績達到此輪衰退的最低點有關。
“IC產業復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經開始。”IC Insights分析師
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DRAM NAND MPU 模擬電路
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業利益。據韓國證券業與相關業者表示，三星電子2009年第3季合并營業利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區間。
三星電子2004年第1季創下最大營業利益4.01兆韓元，其中半導體部門營業利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營業利益大半。三星半導體事業更在2004年第2季創下史上最大營業利益2.15兆韓元，占整體單季營業利益(3.773兆韓元
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三星 DRAM LCD
- 韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業利益，破除2007年第3季以來連續8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉虧為盈的廠商。
據業界預測，2009年第2季營業虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業利益2,540億韓元規模，而在2007年第3季以后，三星已連續7季營運呈現虧損。
分析指出，海力士營運改
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Hynix DRAM 50納米
- 景氣轉好，近期科技業聯貸案陸續通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣，下同)聯貸案也可望于9月底通過，加上6月時私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現增案，南科銀彈滿滿，轉進50奈米制程進度已經無虞。
日前奇美電聯貸案金額不斷往上追加，原應在8月結案，順延到9月上旬，金額也由最初預定的300億元規模，被聯貸銀行團超額認購到422億元，最后以400億元結案。顯見隨景氣轉好，銀行團原本緊縮的態度，也逐漸放松。而南科150億元聯貸案，預計將在9月底登場。據銀行端消息透露，最晚第四季就
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南科 DRAM 68納米
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