Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”
加入技術(shù)交流群
Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個分塊內(nèi)部的芯片共享一個命令/地址端口，不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)之后，內(nèi)存芯片的活躍時間也比過去降低了一半，如此便可節(jié)省20%的能耗。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/98387.htm
目前單通道DDR3內(nèi)存的位寬為64bit，雙通道配置則為128bit;而線程式內(nèi)存條技術(shù)則只需單通道便可提供512bit的數(shù)據(jù)傳輸位寬，這樣理論峰值帶寬便大大提高了，不過按Rambus公司自己提供的實測數(shù)據(jù)表明，實際的數(shù)據(jù)傳輸帶寬增加幅度一般在50%以下。
兩家公司將在Intel IDF2009論壇上展示采用這種技術(shù)的實際產(chǎn)品。
評論