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        IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

        作者: 時間:2008-05-29 來源:電子產品世界 收藏

          國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) ,推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形,以及記憶體穩壓器應用的設計而優化的全新30V DirectFET 系列。

          新器件系列結合最新的30V HEXFET功率硅技術與先進的DirectFET封裝技術,比標準SO-8器件的占位面積小40%,而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低,同時把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少,并以極低的封裝電感減少了導通及開關損耗。

          F6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性,非常適合高電流同步。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積,所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉向使用新器件。

          IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd,使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇,可以使設計更具靈活性。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/83267.htm

        產品規格

        器件

        編號

        BVDSS

        (V)

        10V下典型RDS(on) (mOhms)

        4.5V下典型RDS(on) (mOhms)

        典型QG (nC)

        典型QGD
        (nC)

        DirectFET 外形代碼

        IRF6721S

        30

        5.1

        8.5

        11

        3.7

        SQ

        IRF6722S

        30

        4.7

        8.0

        11

        4.1

        ST

        IRF6722M

        30

        4.7

        8.0

        11

        4.3

        MP

        IRF6724M

        30

        1.9

        2.7

        33

        10

        MX

        IRF6725M

        30

        1.7

        2.4

        36

        11

        MX

        IRF6726M

        30

        1.3

        1.9

        51

        16

        MT

        IRF6727M

        30

        1.2

        1.8

        49

        16

        MX

        新器件符合電子產品有害物質限制規定 (RoHS),并已接受批量訂單。



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