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        ir-uwb 文章 最新資訊

        摩托羅拉新一代UWB晶片組受關注

        • 在2004年國際固體電路大會(ISSCC 2004)的技術發布會中,摩托羅拉於2月16日所發表的新一代UWB晶片組技術演說獲得極大的關注,與會者對於該公司UWB晶片組“Trinity”第二代品展現了高度的興趣
        • 關鍵字: 摩托羅拉  UWB  CMOS  

        IR全新DSCC規格線性電壓調節器

        • 功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調節器系列,適用于軍品應用。全新調節器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗,正好符合軍用及商用飛機、地面交通工具、雷達等功率受限應用的要求。ULDO 直流-直流調節器件具有低紋波和噪音,以及1% 的調節容差,特別適用于要求快速瞬態反應及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負載點數字母線應用。先進的 PC
        • 關鍵字: IR  

        UWB標準制定落後 MBOA成立SIG工作小組

        • 由於UWB(超頻)無線通信規格標準化作業遲遲未獲進展,包括德州儀器(TI)、英特爾及飛利浦半導體等MBOA(多頻帶OFDM聯盟)會員,日前在東京召開的新聞發布會上共同宣布,了促進UWB無線技術的普及,將自行成立SIG工作小組
        • 關鍵字: UWB  無線通信  

        IR為無感應器電機控制推出全新集成設計平臺

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一款全新集成設計平臺,適用于永磁電機的無感應器控制。這是IR的iMOTION專用設計平臺系列的第二批產品,能為高速軸徑及其他需要精確控制的機械提供電機控制。新集成設計平臺包括所有硬件和軟件,加上經驗證的模擬及功率級設計。混合信號芯片組與控制算法合并設計,有助簡化設計、大幅降低整體制造成本,并大大縮短產品上市時間。IRMCS203開發系統融合Accelerator可配置控制引擎技術,當中采用的專有無感應器算法只需
        • 關鍵字: IR  

        IR全新PlugNDrive集成功率模塊為家電簡化電機驅動器設計

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模塊,有助簡化家用電器及輕工業應用系統中的變速電機控制電路。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列,它把一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器及輔助電路,融合于緊湊、性能強勁的絕緣式封裝內。 目前,有越來越多家電制造商在產品內裝設電子控制式變速電機,以實現省電節能之效,最高可節省30% 能源之多。新模塊的額定電流為10A,是特別為洗衣機、室內空調及商用
        • 關鍵字: IR  模塊  

        IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝,采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能,有助降低傳導損耗,卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C,標準工作范圍比同類產品高出20%。另外,它們
        • 關鍵字: IR  封裝  

        IR推出全新直流總線轉換器芯片組

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列,重新定義用于電信及網絡系統的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準,能在小于1.7平方英寸電路占位上,于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業界標準的四分一磚設計相比,該芯片組能節省53%的體積,并可將隔離式轉換器的元件數目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
        • 關鍵字: IR  

        IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數目,節省了電路空間
        • 關鍵字: IR  

        IR推出性能經改良的電子繼電器

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比,新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍,器件通態電阻低出1/4,因此更具效率且性能更加穩定。全新MER可取代機電式繼電器,大大增加了操作壽命及可靠性,且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能,還能實現更低起動電流,以及高水平抗沖擊與振動性能,有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監嚴國富
        • 關鍵字: IR  繼電器  

        UWB標準化努力再告失敗

        • 超寬頻(ultrawideband,簡稱UWB)技術由於傳輸速率極高,一米的范圍內達到500Mbps的傳輸率,或是十米內110Mbps,因此被視為無線個人區域網路(WPAN)的下一代主流技術。在此態勢下,各大業者無不希??成為此技術的引領廠商,但也造成標準制定上的困擾
        • 關鍵字: UWB  英特爾  WPAN  MBOA  

        UWB標準制定進度受阻

        • 由於超寬頻(ultrawideband;UWB)技術能大幅延伸無線個人區域網路(WPAN)的應用,因此受到市場極大的重視,但目前因產業界對IEEE所推動的802.15.3a標準還存在歧見,因此可能讓市場的采用進度受阻
        • 關鍵字: UWB  IEEE  WPAN  英特爾  

        IR公布2003財年第四季度業績

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 公布2003財年第四季度業績,季內營業收益為2.284億美元,不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支,模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元),營業收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后,IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業收益在預定指標上端,比上季度增加超過6%,比去年同
        • 關鍵字: IR  

        IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅動器設計且節能

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A,全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗,并專為750W至1.2kW變速電機驅動應用而設計,如室內空調系統、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分,將一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
        • 關鍵字: IR  模塊  

        IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝,采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能,有助降低傳導損耗,卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C,標準工作范圍比同類產品高出20%。另外,它們
        • 關鍵字: IR  封裝  

        IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數目,節省了電路空間
        • 關鍵字: IR  
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