IR推出全新直流總線轉換器芯片組

IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業界標準的四分一磚設計相比，該芯片組能節省53%的體積，并可將隔離式轉換器的元件數目由約50個大幅縮減至20個。

全新芯片組包含一個IR2085S控制集成電路、IRF7493原邊和IRF6603副邊HEXFET功率MOSFET各一對，加上用于原邊偏壓的IRF7380及用于副邊柵箝位的IRF9956。

該芯片組特別為兩級分布式電源架構的隔離型前端結構而設計，該架構采用中間總線電壓饋給的非隔離式負載點轉換器。

兩級分布式電源方案不需要精確調節的中間總線電壓，因為負載點一般能接受相對較寬的輸入電壓，并提供負載所需的調節能力。若將多個直流總線轉換器芯片組并聯，可滿足更大功率要求。

IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“IR的直流總線轉換器芯片組架構省去在中間級調節輸出的需要，無需昂貴的反饋電路。整套解決方案因而化繁為簡，有助減少元件數目、節省轉換所需的基板空間，同時實現96%以上的效率。”

全新直流總線轉換器芯片組架構以IR2085S控制集成電路為核心。該電路基于一個50%固定工作周期及自振蕩控制配置，可取代兩個SO-8封裝器件，并特別為分布式電源架構應用進行優化。電路中設有一個集成軟啟動電容器，能在5毫秒內把工作周期由零逐步增加至50%，以限制在起動階段的涌入電流，同時在整個起動序列中為高側和低側MOSFET保持相同的脈寬。

半橋結構的低側和高側脈沖匹配在±25納秒范圍內，能防止變壓器在操作過程中出現不均衡現象。其他特點包括經優化的±1A柵驅動電流，可與IR新一代的低電荷原邊MOSFET配合工作；可調死區時間介于50至200納秒，以防止擊穿電流。死區時間亦可進行調節，以限制副邊體二極管的傳導量，從而使效率最大化。

IR2085S的可編程開關頻率高達500kHz，使設計更具靈活性。較高的開關頻率降低了輸出電壓波紋，設計人員可選用體積更小、損耗更低的磁性元件。電路設計人員只需利用兩個外部元件便可獨立控制開關頻率及死區時間，從而針對特定應用定制電路。

器件內的浮動溝道是專為100V或以內的直流電壓下的起動操作而設計，并備有VCC電源欠壓鎖定功能。IR2085S采用嶄新的高電壓、高頻率電平轉換技術及高dv/dt耐量。該耐量范圍為每納秒50V，可在半橋結構中避免較低側MOSFET的突然啟動，實現更快的轉換速度。

原邊部分以半橋配置，內含兩個采用SO-8封裝的80V IRF7493 MOSFET。通態電阻與柵電荷均極低，在10V柵源電壓、31nC整體柵電荷和12nC柵漏電荷下最大電阻為15mOhm，體現最佳開關性能。

副邊部分采用自激同步整流拓撲結構，內含兩個采用DirectFET封裝的30V IRF6603 MOSFET。器件具有極低的通態電阻和熱性能改進封裝，在10V柵源電壓下的最大電阻為3.9mOhm；至印刷電路板的熱阻為1°C/W，能提供最佳電流性能和效率。

IR的新架構采用了兩個偏置元件。IRF7380雙80V MOSFET的起始電壓匹配十分接近，可用于新穎的偏置設計的原邊部分。IRF9956副邊雙MOSFET為副邊同步整流MOSFET提供柵箝位，能把驅動電壓固定在7.5V。