IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數目，節省了電路空間。

新器件有別于采用硬開關器件的橋式或功率因數修正電路，其內置本體二極管常處于活躍狀態，并可承載工作周期中部分電流，加強了系統可靠性。當內置本體二極管處于通態時啟動MOSFET，實質上便可消除ZVS電源設計導通損耗。

IR中國及香港銷售總監嚴國富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低開關及整體損耗，可用來設計在更高頻率下工作的電源，減小被動元件尺寸并增加功率密度。"

L系列器件內的本體二極管之最大逆向恢復時間少于250ns，在電流更低的器件中時間更短。較短的逆向恢復周期確保內置本體二極管可在工作關斷過程中發揮效益，在引入高壓前從導通狀態徹底恢復至阻斷狀態。

嚴國富先生又稱："大部分情況下，全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩額定值以及經改良的柵-源電荷及柵-漏電荷比，既可降低擊穿情況，亦能簡化驅動電路。"