IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間。

新器件有別于采用硬開關(guān)器件的橋式或功率因數(shù)修正電路，其內(nèi)置本體二極管常處于活躍狀態(tài)，并可承載工作周期中部分電流，加強了系統(tǒng)可靠性。當(dāng)內(nèi)置本體二極管處于通態(tài)時啟動MOSFET，實質(zhì)上便可消除ZVS電源設(shè)計導(dǎo)通損耗。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低開關(guān)及整體損耗，可用來設(shè)計在更高頻率下工作的電源，減小被動元件尺寸并增加功率密度。"

L系列器件內(nèi)的本體二極管之最大逆向恢復(fù)時間少于250ns，在電流更低的器件中時間更短。較短的逆向恢復(fù)周期確保內(nèi)置本體二極管可在工作關(guān)斷過程中發(fā)揮效益，在引入高壓前從導(dǎo)通狀態(tài)徹底恢復(fù)至阻斷狀態(tài)。

嚴國富先生又稱："大部分情況下，全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩額定值以及經(jīng)改良的柵-源電荷及柵-漏電荷比，既可降低擊穿情況，亦能簡化驅(qū)動電路。"