國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3521及IR3529 XPhase芯片組解決方案，為新一代高性能AMD處理器的整個負載范圍提供卓越的效率。
IR3521 XPhase控制IC支持高速 (HS) I2C串行通信，以提供整體系統控制。這款器件能夠與任何數量的相位IC 連接，讓每一個相位IC可以驅動并監測一個相位。當IR3521與IR3529 XPhase相位IC配合使用，便能夠提供相位調低功能，顯著改善電源的輕負載性能。
IR3529相位
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IR XPhase IR3521 IR3529
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車柵極驅動應用，包括直噴裝置和無刷直流電機驅動器。
AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側驅動器的開關傳輸時間非常短，可以在更高的頻率下驅動MOSFET或IGBT，由此可通過使用更小的濾波元件縮小系統尺寸。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車用I
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IR CMOS IC
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出功能齊全的IRS2573DS高強度氣體放電燈 (HID) 電子鎮流器控制IC，適用于低、中、高功率通用工業用HID應用，包括零售店射燈、一般戶外照明應用和戶外街道照明。
IRS2573DS 600V IC結合了高側、雙模式降壓控制器和全橋驅動器。該器件新穎的降壓電路能夠在燈預熱過程中實現連續導通模式控制，以及穩態運行下的臨界導通模式。有關的全橋驅動器包含了所有高側和低側柵極驅動器輸出，以及高側電源電壓的集成式自舉M
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IR 控制IC 電子鎮流器 IRS2573DS
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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IR MOSFET DirectFET 芯片組
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。
新器件采用了 IR 經過驗證的 Gen 10.2 技術，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。
AUIRS2301S 是一款堅固的通用驅動器 IC，擁有獨立的高側和低側參考輸出通道，提供從 5V 到 20V 的柵極驅動電壓。新器件的輸出驅動器具備高脈沖電流緩沖級，以提供最低驅動器交叉導通，而浮動通道則可以用來驅動在高達 600V 下工作的高側配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，新 IC 也提
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IR IC 汽車驅動
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導通電阻(RDS(on))，適用于卡車引擎罩接線盒等嚴苛的 24V 汽車環境。
AUIPS7111S 在 25°C 時的導通電阻最高可達到 7.5 mΩ，可提供全面的保護功能，除了主動箝位電路外，還包括過流和過溫關閉，以確保開關安全可靠，并可在重復短路的情況下提供保護。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“由于具有超
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IR 電源開關 ESD
介紹了IR2110的內部結構和特點,給出了高壓側自舉懸浮驅動的原理和自舉元件的設計與選擇方法.同時針對IR2110的不足提出了幾種完善的應用方案.并給出了將IR2110用于大功率脈寬調制放大器中的應用實例.
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2110 IR 懸浮 驅動電路
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
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IR MOSFET HEXFET
摘要: 采用高速USB接口連接計算機終端與UWB通信系統基帶模塊，設計并實現了USB接口電路，控制UWB通信系統基帶模塊與USB接口設備的數據傳輸，最終實現了終端電腦與UWB通信系統的數據傳輸。實際測試中，USB接口的速率約
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接口 設計 實現 USB 高速 通信 系統 IR-UWB
本文將會廣泛地討論有關數字技術應用于功率轉換及管理方面的技術性問題，以迎合市場趨勢及不同市場領域的需求。我們還會談到這種技術相對于模擬控制的應用和挑戰。
功率轉換屬于功率系統 (反饋環路) 的運作，而功率管理則涵蓋操作模式、起動/停機延遲的同步跟蹤和邊裕量以及針對并行操作和系統通信的鎖相 (交錯) 功能。
多年以來，“模擬”與“數字”的定義已變得有點模糊。為了避免混淆，本文中的“模擬”是指“連續可變的物理量
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IR 功率轉換 數字控制
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件
關鍵字：
IR 功率器件 氮化鎵 DC-DC
面向嵌入系統的480Mb/s無線UWB鏈路,任何設備都可啟動通信通道，連接網絡中另一設備。連接嵌入系統常常需要建立一個網絡。在該網絡中，所有成員享有相同的權利，并可以任何方向在設備間傳輸數據。本文討論的架構中便容許建立一個實現雙向數據傳輸的媒體訪問層。
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UWB 鏈路 無線 480Mb/s 嵌入 系統 面向 通信協議
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 為高性能節能服務器、存儲系統和網絡通信應用擴展其SupIRBuck集成負載點 (POL) 穩壓器系列。
新推出的Gen2.1 SupIRBuck系列采用了設計纖薄、溫度性能更強的5x6 mm Power QFN封裝，配有先進的控制IC、MOSFET和封裝集成技術，輸出電流高達12A。這款新型集成穩壓器系列能夠滿足1.5V到16V的寬輸入電壓，輸出電壓則可由0.7V調整到
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IR 穩壓器 SupIRBuck
UWB技術在家庭和有線電視網絡中的應用,超寬帶技術UWB(Ultra Wideband)始于20世紀60年代興起的脈沖通信技術，利用頻譜極寬的超短脈沖進行通信，又稱為基帶通信、無載波通信。由于其具有低功耗、高帶寬、高傳輸速率、低復雜性、抗多徑能力強、發射信號功率譜
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網絡 應用 有線電視 家庭 技術 UWB
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