全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產品為焊接、高功率整流等感應加熱和共振開關應用進行了優化。
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IR IGBT
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產品為焊接、高功率整流等感應加熱和共振開關應用進行了優化。
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IR IGBT
UWB技術在醫療設備中的應用,醫療設備制造商可在各種無線應用中使用超寬帶技術。 超寬帶（UWB）是一項高帶寬（480-1320Mb/秒）和短距離（10-50米）的無線傳輸技術，正逐漸在醫療應用中更多的使用。UWB最初只作為一種軍事技術開發，直至1994年
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UWB 醫療設備 中的應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出全新數字功率平臺，該產品可大幅提升多種應用的能效，包括高性能服務器、臺式電腦及運算應用。
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IR 數字控制器
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出全新數字功率平臺，該產品可大幅提升多種應用的能效，包括高性能服務器、臺式電腦及運算應用。
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IR 控制器
全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
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IR MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
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IR MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
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IR IGBT
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
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IR 晶圓 IGBT
UWB(Ultra WideBand)是一種短距離的無線通信方式。其傳輸距離通常在10m以內，使用1 GHz以上帶寬，通信速度可以達到幾百Mbit/s以上。UWB不采用載波，而是利用納秒至微微秒級的非正弦波窄脈沖傳輸數據，因此，其所占的
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介紹 方式 無線通信 短距離 UWB
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出高側智能電源開關 (IPS) 器件 AUIR331x 系列，該產品能夠實現精確電流檢測，并內置保護電路，適合汽車應用。新IPS器件可加強智能預熱塞控制、正溫度系數 (PTC) 輔助加熱器、發動機冷卻風扇驅動器和內部風扇控制器的可靠性。
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IR 智能開關 AUIR331x
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內容包括 IR 公司MER 產品系列的選型指南、應用手冊、數據資料和設計技巧等。
IR 的 MER 產品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉換成幾百瓦，廣泛應用于工業控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
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IR 微電子繼電器 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內容包括 IR 公司 MER 產品系列的選型指南、應用手冊、數據資料和設計技巧等。
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IR MER
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等
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IR MOSFET
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