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        IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構,適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路,可提供超出CPU電壓調節組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案,適用于服務器和高端臺式電腦內最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅動有限相位的多相方案,它提供可擴展的多相設計,滿足先進CPU瞬息萬
        • 關鍵字: IR  

        IR推出專攻高頻開關電源應用的經濟型大功率150kHz IGBT

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT,額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關斷性能經特別改良,適用于電信和服務器系統中的大電流、高頻開關電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比,提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝,性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監
        • 關鍵字: IR  模擬IC  電源  

        IR推出多用途80V MOSFET

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉換器中的原邊和付邊MOSFET,專攻網絡通信及數據通信系統領域。作為原邊MOSFET時,IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓,因此最適用于36V至60V及48V穩壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比,其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶,使設計更加堅固耐用。IR中國
        • 關鍵字: IR  

        IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關模塊系列,它們以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V,它們把高速IGBT和優化的二極管結合在同一封裝內,有助節省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監嚴國富先生
        • 關鍵字: IR  模塊  

        IR推出可替代機電式繼電器的300V MOSFET功率器件

        • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新產品IRF3000。它是一個300V、N溝道HEXFET功率MOSFET,用于取代多種電信及網絡應用中的機電式繼電器。新器件是一種固態半導體,無機械部分,故可提高整體系統可靠性,且體積比機電式繼電器低30%之多。IRF3000比機電式繼電器更具效率,導通電阻比機械繼電器低90%以上,最大限度地減低了傳導損耗。新器件的柵電荷極低,可最大程度減低開關損耗。IRF3000比繼電器更易驅動,有助簡化電路設計并降低整體
        • 關鍵字: IR  繼電器  

        IR披露最高集成度智能功率模塊

        • 國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM),在單一封裝內將功率平臺整合到嵌入式驅動器板上,納入一個可編程數字信號處理器。新器件型號為PIIPM50P12B004,額定值為1200V和50A,具備電流傳感、隔離、柵驅動器及功率平臺保護功能,可直接與電機驅動器主機及輸入平臺接口,方案內設有基本應用指令集及開發工具,效率高、堅固耐用,噪音低。該模塊電流反饋環路頻寬5kHz,提供平直的安全操作區,融合了IGBT技術,采用EMP封
        • 關鍵字: IR  模塊  

        IR推出更小的集成式開關(6.29)

        •   功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出高效、低成本強化集成開關IRIS系列,將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結合在單一封裝內,可簡化電路設計,減少了印制電路板尺寸及25%的元件數目。與交流-直流開關電源的分立電路相比,效率相同,甚至更佳。   全新IRIS集成開關系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結合在單一封裝內,適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關電源的反激變換技術。  
        • 關鍵字: IR  模擬IC  電源  
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