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IR全新DSCC規格線性電壓調節器
- 功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調節器系列，適用于軍品應用。全新調節器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗，正好符合軍用及商用飛機、地面交通工具、雷達等功率受限應用的要求。ULDO 直流-直流調節器件具有低紋波和噪音，以及1% 的調節容差，特別適用于要求快速瞬態反應及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負載點數字母線應用。先進的 PC
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IR為無感應器電機控制推出全新集成設計平臺
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一款全新集成設計平臺，適用于永磁電機的無感應器控制。這是IR的iMOTION專用設計平臺系列的第二批產品，能為高速軸徑及其他需要精確控制的機械提供電機控制。新集成設計平臺包括所有硬件和軟件，加上經驗證的模擬及功率級設計?；旌闲盘栃酒M與控制算法合并設計，有助簡化設計、大幅降低整體制造成本，并大大縮短產品上市時間。IRMCS203開發系統融合Accelerator可配置控制引擎技術，當中采用的專有無感應器算法只需
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IR推出全新直流總線轉換器芯片組
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列，重新定義用于電信及網絡系統的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業界標準的四分一磚設計相比，該芯片組能節省53%的體積，并可將隔離式轉換器的元件數目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數目，節省了電路空間
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IR公布2003財年第四季度業績
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業績，季內營業收益為2.284億美元，不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數據通信系統。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數目，節省了電路空間
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IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構
- 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調節組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務器和高端臺式電腦內最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設計，滿足先進CPU瞬息萬
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