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        IR推出更小的集成式開關(6.29)

        作者: 時間:2001-06-29 來源:電子產品世界 收藏

          功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱)推出高效、低成本強化集成開關IS系列,將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結合在單一封裝內,可簡化電路設計,減少了印制電路板尺寸及25%的元件數目。與交流-直流開關的分立電路相比,效率相同,甚至更佳。

          全新IS集成開關系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結合在單一封裝內,適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關的反激變換技術。

          對于批量生產的消費電子產品,新器件可簡化設計,降低成本,縮減尺寸并減輕重量。由于簡化了功率轉換電路,顯示器、DVD機、傳真機、打印機及機頂盒等產品可以設計得更平滑、更精簡。

          IR利用超絕緣材料的貼膜芯片工藝(專利尚待通過),進一步降低集成開關封裝的雜散電感,同樣大小的封裝內組裝更大的MOSFET晶片,從而提高效率及功率級。IR嶄新的貼膜芯片工藝還可簡化器件組裝步驟,使得以這些器件制成的開關比分立方案更具成本競爭力。新技術還通過了超出業界標準的溫度壽命測試。

          IRIS系列集成開關可在準諧振或脈寬調制模式下工作。在準諧振模式下,開關在漏極電壓到達最低振蕩點時才起作用,以便降低開關損耗,從而在高負荷狀態下提高整體效率。脈沖比控制模式則更適用于需要小電流休眠模式的應用。工作中器件在這兩種模式間轉換,以達到更高效率及降低開關損耗。

          為支持更為靈活并耐用的設計,全新IRIS系列器件具有過電壓保護、過溫保護及可變過電流保護功能。另外,這些器件還具有耐用的全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET。

         



        關鍵詞: IR 模擬IC 電源

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