- 2017年5月25日，英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(尤其是納米材料等)領域已成為各國政策制定者的關注重點，大力投資材料科學也成為中國整體科技戰略的重要組成部分。近年來，中國始終是在材料科學領域發表論文最多的國家，其背后是政府的大規模資金投入和大力引進人才。然而，材料科學家認為，需要將更多的資源投入到基礎研究的轉化中;應用科學家表示，如果沒有足夠的扶持，中國在材料研究商業化方面的努力
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集成電路 CMOS
- 年初的CES 2016消費電子展帶來一個信號：你的下一款電視應該支持HDR。幾乎每一個主流電視品牌，均在CES上展出了自家的HDR電視，這是繼4K之后的另一個電視發展趨勢。 ??首先我們就一起來了解一下HDR電視究竟是何方神圣。 ??HDR：屏體+芯片+內容三位一體 ??之所以稱HDR是一種更復雜的標準，在于其表現形式的特殊性。HDR從字面上理解顯然是High Dynamic Range，也就是高動態范圍，事實上你的手機應該具有這種拍攝模式。但來到電視領域，HDR并
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HDR 芯片
- CMOS內的數字縮放降低了功率，縮小了尺寸，并且提高了每個節點的性能。同時，CMOS技術進一步提高了在模擬組件中嵌入數字功能的能力，從而實現了在雷達系統部署方面的全新系統配置和拓撲。
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傳感器 CMOS
- 大家日常都會有這樣的體驗，在電視上看到的圖像和人眼直接看到真實世界總是會有差異，這里面涉及到攝像機對圖像的采集，圖像傳輸，以及顯示設備例如電視對圖像的還原能力。
其它暫且不提，電視對真實圖像的表現能力基本就衡量了其性能的高低，縱觀電視的發展歷史和趨勢，其基本圍繞一個目標：更逼真的再現真實世界的圖像，例如從黑白電視過度到彩色電視，這是電視發展的一個里程碑。
例如，廣色域(WCG)，高分辨率(HD，FHD，UHD)，大尺寸(32“，49”，55”，65&rd
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HDR 電視
- 自從14nm節點開始，Intel在傳統CMOS半導體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰略名存實亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導體工藝命名規則了。傳統CMOS工藝很可能在2024年終結，對此Intel也不是沒有準備，最近他們公布了后CMOS時代的一些技術思路，Intel的目標是在保持現有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。
根據EE
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Intel CMOS
- 對于圖像顯示技術而言，追求貼近人眼所能見到的真實世界是必然趨勢。在4K電視技術的普及、廣色域的使用，以及視頻播放流暢度提高到60fps，都已逐步朝人眼所見前進。而下一關卡，“亮度動態范圍”是目前圖像顯示畫質欲突破的關卡。此時，“高動態范圍 (High Dynamic Range，HDR)”就應運而生，成為近年在國際消費性電子展(CES)，圖像顯示技術最熱門的討論議題，各家音像制造廠商更以提高圖像的動態范圍為目標，相繼投入高動態范圍技術，并訂定出相關標準，
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HDR
- 傳統的硅基半導體技術形成了摩爾定律的基礎，并在數十年來持續落實于產業界，如今它正日益成熟，業界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術藍圖...
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芯片 CMOS
- 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅，但傳統半導體這幾年內確實面臨著很大挑戰，IRDS日前發布的一份報告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會終結了。
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摩爾定律 CMOS
- 索尼這幾年的手機之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導體上的造詣可不是一般的強大。可能很多人會覺得索尼沒聽說在半導體上有哪些重大貢獻，但是如果索尼的半導體工廠停工，因為全球的手機CMOS大部分來自索尼。
索尼XZ Prumium
索尼鏡頭
索尼展示技術
在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
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索尼 CMOS
- HDR對消費者來說是不可多得的晉升視覺感受的技術，對于彩電企業來說也是挽救業績的好稻草。
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HDR OLED
- 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導體市場的增長不再依賴于汽車產量的增加，而是車載半導體數量的增加。
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CMOS ADAS
- 手機產業持續平穩增長，芯片市場維持高景氣度
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芯片 CMOS
- 盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習慣。近日，索尼推出了一款劃時代的傳感器產品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進行改進，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容，有效減少拍攝時所產生的焦平面失真現象，使得抓拍、慢動作都會更加
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索尼 CMOS
- 1 CMOS集成電路的性能及特點 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態，電路靜態功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩壓。國產CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作。 1.3
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CMOS 集成電路
- 2016年電視產品相比以往來說，大屏化、智能化這兩種趨勢都在繼續加強，同時畫質也在進一步地改善(如HDR技術)，OLED電視也在迅速成長。
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HDR OLED
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